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플라즈몬에 의한 발광효율이 개선된 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200800
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광효율이 개선된 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, p형 반사성 콘택층(110)과; 상기 p형 반사성 콘택층(110) 상부에 형성된 p형 질화물층(120)과; 상기 p형 질화물층(120) 상부에 형성된 활성층(130)과; 상기 활성층(130) 상부에 형성된 n형 질화물층(140)과; 금속 나노입자(151)를 포함한 절연층(152)에 의해 절연이 이루어져 상기 p형 반사성 콘택층(110), p형 질화물층(120) 및 활성층(130)을 관통하여 선단부가 상기 n형 질화물층(140)과 콘택이 이루어지도록 마련되는 n형 전극(153)을 갖는 플라즈몬 발생부(150);를 포함하여, 수직형 질화물 발광소자에서 국부적인 플라즈몬 공명(Plasmon Resonance) 효과에 의한 발광효율을 높일 수가 있으며, 또한 출광면에 광 추출효율에 불리한 전극 배치구조를 배제하여 발광효율을 더욱 개선할 수 있다.
Int. CL H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/12 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01)
출원번호/일자 1020130030821 (2013.03.22)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1455798-0000 (2014.10.22)
공개번호/일자 10-2014-0116311 (2014.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정탁 대한민국 광주 광산구
2 김수진 대한민국 서울 강북구
3 박형조 대한민국 광주 광산구
4 김자연 대한민국 광주 광산구
5 오화섭 대한민국 광주 광산구
6 주진우 대한민국 광주 광산구
7 정태훈 대한민국 서울특별시 금천구
8 김윤석 대한민국 광주광역시 광산구
9 이상헌 대한민국 광주 광산구
10 백종협 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0249551-04
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0120403-01
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0365430-11
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0465609-09
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0562360-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0676212-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0676211-24
8 등록결정서
Decision to grant
2014.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0708811-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 반사성 콘택층과;상기 p형 반사성 콘택층 상부에 형성된 p형 질화물층과; 상기 p형 질화물층 상부에 형성된 활성층과;상기 활성층 상부에 형성된 n형 질화물층과;금속 나노입자를 포함한 절연층에 의해 절연이 이루어지고 상기 p형 반사성 콘택층, p형 질화물층 및 활성층을 관통하여 선단부가 상기 n형 질화물층과 콘택이 이루어지도록 마련되는 n형 전극을 갖는 플라즈몬 발생부;를 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 p형 질화물층에는 금속 나노입자를 포함한 절연재를 갖는 제2플라즈몬 발생부를 더 포함 발광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 제2플라즈몬 발생부는 활성층을 관통하여 위치하는 것을 특징으로 하는 발광소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2플라즈몬 발생부의 금속 나노입자는 활성층으로부터 100㎚ 이내에 분포되는 것을 특징으로 하는 발광소자
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 나노입자의 사이즈는 1㎚ ~ 100㎚인 것을 특징으로 하는 발광소자
6 6
성장기판에 n형 질화물층, 활성층, 및 p형 질화물층을 순차적으로 적층하는 제1단계와;상기 p형 질화물층 및 활성층을 관통하여 상기 n형 질화물층의 일정 깊이까지 트렌치 구조를 형성하는 제2단계와;상기 P형 질화물층의 표면에 p형 반사성 콘택층을 형성하는 제3단계와;상기 트렌치 구조 내에 금속 나노입자가 절연되어 분포가 이루어지도록 상기 트렌치 구조의 표면을 포함하여 상기 p형 반사성 콘택층 표면에 절연층을 형성하는 제4단계와;제4단계의 트렌치 구조 내에 n형 전극을 형성하는 제5단계와;상기 n형 전극과 절연층 표면에 도전층을 형성하고 기판을 본딩하는 제6단계와;상기 n형 질화물층에 접합된 성장기판을 분리하는 제7단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제7단계 다음에 측벽 에칭 후, 상기 p형 반사성 콘택층에 p형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 제7단계는 성장기판의 분리가 이루어진 n형 질화물층 표면에 러프니스를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국광기술원 산업융합원천기술개발사업 광효율 160lm/W (소비전력 1W급) 고출력 LED 칩 상용화 기술개발