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서브스트레이트 기판;상기 서브스트레이트 기판상에 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층 순으로 형성되어 이루어지며, 상기 활성층 및 제 2반도체층이 메사식각되어 제 1반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되는 발광 구조물;상기 제 2반도체층 상에 형성되는 투명전극;상기 제 1반도체층의 노출된 영역에 형성되는 제 1전극; 및 상기 투명전극 상에 형성되는 제 2전극;을 포함하는 발광다이오드에 있어서, 상기 발광다이오드의 일면에, 상기 발광다이오드의 일면과 다른 굴절률을 가지며 복수의 요철 형태 구조체를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체는, GaN, Si3N4, SOG, SiOX, TiOX, HfOX, 또는 나노 파티클(Nano Particle) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체의 각각의 두께는 5nm 내지 100um 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체간의 간격은 100nm 내지 800nm 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 발광다이오드의 일면으로부터 상기 요철 형태 구조체의 상면까지의 거리는 5nm 내지 10um 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체의 각각의 단면은 사각형, 원뿔, 사다리꼴, 구형 또는 반구형의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 서브스트레이트 기판상에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제 1반도체층의 일부 상면이 노출되도록 상기 활성층 및 제 2반도체층의 소정영역을 식각하는 단계;상기 제 2반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 제 2전극을 형성하는 단계; 상기 제 1반도체층이 노출된 영역에 제 1전극을 형성하는 단계; 및 상기 발광다이오드의 일면에, 상기 발광다이오드의 일면과 다른 굴절률을 가지며 복수의 요철 형태 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체 형성단계는, 상기 발광다이오드의 일면에 GaN, SiO2, Si3N4, 또는 SOG 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성되는 반도체층을 패터닝하고 재성장시켜 요철 형태의 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체 형성단계는, 상기 발광다이오드의 일면에 SiOx, TiOx, 또는 HfOx 중에서 선택되는 어느 하나의 박막을 증착하고 소정영역을 식각하여 요철 형태의 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체 형성단계는, 상기 발광다이오드의 일면에 SiOx, TiOx, 또는 HfOx 중에서 선택되는 어느 하나의 박막을 패터닝하여 증착하고, 이를 성장시켜 요철 형태의 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 요철 형태 구조체 형성단계는, 상기 발광다이오드의 일면에 나노 파티클(Nano Particle)을 분사하여 요철 형태의 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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