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이중천공(Double-Cavity)을 포함하는 인쇄회로기판, 구리박막, 상기 이중천공 중 어느 하나의 천공의 상부면에 적층되는 발광 다이오드, 형광체 및 봉지제를 포함하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode) 패키지에 있어서,
양극과 음극으로 분리되는 후막 동판;
상기 이중천공이 형성되는 영역을 제외한 후막동판의 상부에 형성되는 제 1절연층;
상기 제 1절연층의 상부에 형성되는 제 1구리박막;
상기 제 1절연층의 일측단의 상부 및 상기 제 1구리박막의 일측단의 상부에 형성되는 제 2절연층;
상기 제 2절연층의 상부에 형성되는 제 2구리박막;
상기 이중천공의 내벽 및 바닥면과 상기 제 1구리박막 및 제 2구비박막의 상부에 형성되고, 상기 제 2절연층의 측면과 접하도록 형성되는 제 1도금층;
상기 제 1도금층 상부에 순차적으로 형성되는 제 2도금층 및 제 3도금층;
상기 이중천공 중 어느 하나의 천공의 상부에 적층되는 발광 다이오드; 및
상기 이중천공 중 발광다이오드가 적층되지 않는 천공의 양단에 형성되며, 상기 이중천공간을 전기적으로 분리시키는 비아홀; 을 포함하고,
상기 발광 다이오드 및 상기 이중천공 중 발광다이오드가 적층되지 않는 천공의 상부에 형성되는 제 3도금층은 와이어 본딩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 이중천공 중 발광다이오드가 적층되지 않는 천공은,
상기 발광다이오드가 적층되는 천공의 하부면과 연결되는 후막동판의 극성과 다른극성을 가지는 후막동판과 상기 제 1도금층이 연결될 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 제 1도금층은 구리(Cu) 도금층이고, 상기 제 2도금층은 니켈(Ni) 도금층이며, 상기 제 3도금층은 금(Au) 또는 은(Ag) 도금층인 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 제 1도금층의 두께는 5μm 내지 30μm으로 형성되고, 상기 제 2도금층의 두께는 0
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제 1항에 있어서, 제 1구리박막 및 제 2구리박막의 두께는 0
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제 1항에 있어서, 상기 후막 동판의 두께는 0
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제 1항에 있어서, 상기 제 1절연층은,
프리프래그(PPG) 또는 폴리이미드로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 제 1절연층의 두께는 상기 발광다이오드의 두께보다 0
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제 1항에 있어서, 상기 제 2절연층은
CCL(Copper Clad Laminare)로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 발광다이오드의 상부면의 끝단으로부터 제 2절연층의 측단의 제 3도금층까지의 수평거리를 ‘L’이라 하고, 제 2절연층부터 제 3도금층까지의 수직거리를 ‘h’라 하며, 발광다이오드의 상부면 모서리로부터 제 2절연막의 상부에 형성되는 제 3도금층의 모서리까지 빗변을 그어 상기 빗변과 상기 수평거리 ‘L’ 사이의 각을 ‘Θ’라 할 때,
상기 제 2절연층, 제 1도금층, 제 2도금층 및 제 3도금층의 두께는, LtanΘ 003e# h 의 조건을 만족하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 이중천공은 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지
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후막동판상에 발광다이오드가 적층될 천공을 형성하도록 기계적 가공으로 소정영역이 제거된 제 1절연층과 제 1구리박막을 순차적으로 적층하는 제 1단계;
상기 발광다이오드가 적층될 천공을 형성하도록 상기 제 1구리박막의 소정영역을 식각하고, 제 2절연층이 적층될 영역을 형성하도록 제 1구리박막의 일측단을 식각하여 제거하는 제 2단계;
순차적으로 적층된 제 2절연층 및 제 2구리박막의 양 끝단의 소정영역을 제외한 부분을 기계적 가공에 의해 제거하고, 상기 제 2절연층이 적층될 영역이 형성된 제 1절연층의 소정영역의 상부와 제 1구리박막의 소정영역의 상부에 상기 제 2절연층 및 제 2구리박막을 프리프래그에 의해 접합시키는 제 3단계;
상기 후막동판의 음극영역상에 기계적 가공으로 천공을 형성하는 제 4단계;
상기 두 개의 천공의 내벽 및 바닥면, 상기 제 1구리박막 및 제 2구비박막의 상부에 제 1도금층을 형성하는 제 5단계;
상기 후막동판을 식각하여 양극 및 음극으로 분리하는 제 6단계;
상기 제 1도금층의 상부에 제 2도금층 및 제 3도금층을 순차적으로 적층하는 제 7단계;
상기 후막동판의 음극영역에 형성되는 천공의 양단이 전기적으로 분리되도록 식각하여 비아홀을 형성하는 제 8단계; 및
상기 발광다이오드가 적층될 천공의 상부에 발광다이오드를 적층하고, 상기 발광다이오드 및 상기 후막동판의 음극영역에 형성되는 천공의 상부에 적층되는 제 3도금층을 와이어 본딩으로 연결하고, 봉지제로 발광다이오드를 커버하는 제 9단계;
를 포함하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 제 1단계 및 제 2단계는,
후막동판상에 프리프래그, 제 1절연층 및 제 1구리박막을 순차적으로 적층하고 기계적 가공에 의해 발광다이오드가 적층될 천공영역상의 프리프래그, 제 1절연층 및 제 1구리박막을 제거하고 접합하는 단계인 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 기계적가공은,
펀칭, 밀링 비트 또는 레이저에 의해 소정영역이 제거되는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 레이저는,
야그(Yag) 레이저, 엑시머(Eximer) 레이저 또는 이산화탄소(CO2) 레이저인 것을 특징으로 하되, 제 1구리박막 및 제 2구리박막의 제거에 있어서는 야그 레이저 또는 엑시머 레이저를 이용하여 소정영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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