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수직 구조 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015200818
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, n형 전극에 의한 광자의 흡수 및 전류 폭주 효과를 최소화하여 고성능의 수직 구조 발광 다이오드를 제공할 수 있다.본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 수직 구조 발광 다이오드는 발광 다이오드의 최하부로부터 도전성 전극, 금속 지지층, p형 반도체층, 상기 p형 반도체층의 일부에 삽입된 전류 차단부, 활성층, n형 반도체층 및 n형 전극의 순서로 구성 요소를 포함하되, 상기 n형 전극에 의한 빛의 흡수를 최소화하기 위해 상기 n형 전극은 반사막의 특성을 가지며, 상기 전류 차단부는 상기 n형 전극으로부터 상기 발광 다이오드의 하부로 흐르는 전류의 폭주 현상을 차단하기 위하여 상기 p형 반도체층의 일부를 제거하고 그 내부에 절연체 물질로 채워 넣는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020100093272 (2010.09.27)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0031718 (2012.04.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120044763;
심사청구여부/일자 Y (2010.09.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정탁 대한민국 광주광역시 광산구
2 김승환 대한민국 전라남도 무안군
3 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
4 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
5 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
6 백종협 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0619677-67
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0660412-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0633459-20
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0947484-46
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0947483-01
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0100142-41
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0203859-59
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.13 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0203860-06
9 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0202759-60
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0202758-14
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0340221-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수직 구조 발광 다이오드에 있어서, 발광 다이오드의 최하부로부터 도전성 전극, 금속 지지층, p형 반도체층, 상기 p형 반도체층의 일부에 삽입된 전류 차단부, 활성층, n형 반도체층 및 n형 전극의 순서로 구성 요소를 포함하되,상기 n형 전극에 의한 빛의 흡수를 최소화하기 위해 상기 n형 전극은 반사막의 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전류 차단부는 상기 n형 전극으로부터 상기 발광 다이오드의 하부로 흐르는 전류의 폭주 현상을 차단하기 위하여 상기 p형 반도체층의 일부를 제거하고 그 내부에 절연체 물질로 채워 넣는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전류 차단부는 상기 p형 반도체층의 일부를 제거한 후, 제거된 부분에 절연성 SiO2 또는 SiNx 를 PECVD 또는 스퍼터링 기법에 의해 증착하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 n형 전극은 하나 이상의 금속층에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 n형 전극의 하나 이상의 금속층은 Cr층, Al층, Pt층, Ni층, Ti층, Mo층 및 Au층 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 하나 이상의 금속층은 상기 n형 반도체층으로부터 Cr층이 가장 가까운 거리에 위치해 있고, Au층이 가장 먼 거리에 위치해 있는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
7 7
제 6 항에 있어서,다른 금속층의 두께가 일정할 경우, Cr층의 두께가 얇아짐에 따라 발광 다이오드의 광 반사율이 증가하여 광출력 특성이 향상되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101220419 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국광기술원 전략산업기술개발 외부 양자 효율 향상을 위한 기반 기술개발