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기판층;과,상기 기판층의 상부면에 적층되고 외부로 노출되는 상부면에 제 1 전극이 형성된 제 1 반도체층과 발광층과 제 2 반도체층이 순차적으로 적층형성된 엘이디층;과,전도성을 가지며 상기 제 2 반도체층의 상부면에 적층 형성되고 상부면에는 제 2 전극이 형성되어 상기 제 2 반도체층으로 전원을 공급하고 상기 발광층에서 발광된 빛을 상기 기판 층으로 반사하는 역반사막전극층;을 포함하고,상기 제 2 반도체층은,상부면에 일정 간격을 가지는 격자상으로 배치되는 다수의 집속볼록렌즈가 형성된 집속볼록렌즈부를 구비하고,상기 역반사막전극층은,상기 제 2 반도체층 상부면에 적층 형성되는 전도성의 산화물투명전극층;과,상기 산화물투명전극층의 상부면에 적층형성되는 전도성의 역반사막금속층;과,상기 역반사막금속층의 상부면에 적층 형성되고 상부면에는 상기 제 2 전극이 형성되는 전도성의 반사막보호금속층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디
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청구항 1항에 있어서, 상기 산화물투명전극층은,상기 역반사막금속층과 접하는 상부면에 식각에 의해 일정 간격을 가지는 격자상으로 배치되는 다수의 반사볼록렌즈가 형성된 반사볼록렌즈부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디
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청구항 1항에 있어서,상기 산화물투명전극층의 굴절율은 상기 제 2 반도체층의 굴절율보다 작은 값을 가지는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디
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청구항 4항에 있어서, 상기 반사볼록렌즈의 반경은 상기 산화물투명전극층의 두께보다 크고,상기 집속볼록렌즈의 반경은 상기 산화물투명전극층의 두께보다 작고 상기 집속볼록렌즈들 사이의 간격보다 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디
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청구항 6항에 있어서, 상기 산화물투명전극층은,빛의 흡수율을 낮추기 위하여 200nm 이하이고, 상기 집속볼록렌즈들 사이의 간격보다 큰 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디
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기판층의 상부에 순차적으로 제 1 반도체층과 발광층과 제 2 반도체층을 성장시켜 엘이디층을 형성하는 엘이디층형성과정;과,상기 제 2 반도체층의 상부면을 식각하여 격자상으로 배치되는 다수의 집속볼록렌즈부를 구비한 집속볼록렌즈부를 형성하는 집속볼록렌즈부형성과정;과,상기 집속볼록렌즈부가 형성된 상기 제 2 반도체층 상부면에 전도성 산화물투명전극층을 형성하는 산화물투명전극층 형성과정;과,상기 산화물투명전극층의 상부면을 식각하여 격자상으로 배치되는 다수의 반사볼록렌즈를 구비한 반사볼록렌즈부를 형성하는 반사볼록렌즈부형성과정;과,상기 반사볼록렌즈부가 형성된 상기 산화물투명전극층의 상부면에 전도성 역반사막전극층을 형성하는 역반사막전극층형성과정;과,상기 역반사막전극층의 상부면에 전도성 반사막보호금속층을 형성하는 반사막보호금속층형성과정;과,상기 외부로 노출된 상기 제 1 반도체층의 상부면과 상기 반사막보호금속층의 상부면에 각각 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하는 전극형성과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디 제작 방법
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청구항 8항에 있어서, 상기 집속볼록렌즈부 형성과정과 상기 반사볼록렌즈부 형성과정은,리플로우(reflow)법을 적용한 식각을 수행하는 포토리소그래피에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디 제작 방법
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청구항 8항에 있어서, 상기 집속볼록렌즈부 형성 과정과 상기 반사볼록렌즈부 형성 과정은,상기 반사볼록렌즈의 반경은 상기 산화물투명전극층의 두께보다 크고,상기 집속볼록렌즈의 반경은 상기 산화물투명전극층의 두께보다 작고 상기 집속볼록렌즈들 사이의 간격보다 크도록 형성하는 과정인 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디 제작 방법
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청구항 10항에 있어서, 상기 산화물투명전극층은,200nm 이하인 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디 제작방법
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기판층의 상부면에 순차적으로 적층 형성되는 제 1 반도체층과 발광층과 상기 발광층의 상부에 적층 형성되고 상부면에 격자상으로 배치되는 다수의 집속볼록렌즈들을 구비한 집속볼록렌즈부가 형성된 제 2 반도체층으로 이루어지는 엘이디층;과,상기 제 2 반도체층의 상부면에 적층 형성되며 상부면에는 격자상으로 배치되는 반사볼록렌즈들을 구비한 반사볼록렌즈부가 형성된 전도성 산화물투명전극층과, 상기 산화물투명전극층의 상부에 적층 형성되는 전도성 역반사막금속층을 포함하는 역반사막전극층;과,상기 전도성 역반사막전극층의 상부면에 본딩물질층을 매개로 하여 부착되는 전도성기판을 포함하는 전도성기판층;과,상기 기판층을 제거한 후 상기 제 1 반도체층의 저면에 형성되는 제 1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디
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기판층의 상부에 순차적으로 제 1 반도체층과 발광층과 제 2 반도체층을 성장시켜 엘이디층을 형성하는 엘이디층형성과정;과,상기 제 2 반도체층의 상부면에 식각에 의해 격자상으로 배치되는 다수의 집속볼록렌즈부를 구비한 집속볼록렌즈부를 형성하는 집속볼록렌즈부 형성과정;과,상기 집속볼록렌즈부가 형성된 상기 제 2 반도체층 상부면에 전도성 산화물투명전극층을 형성하는 산화물투명전극층 형성과정;과,상기 산화물투명전극층의 상부면에 식각에 의해 격자상으로 배치되는 다수의 반사볼록렌즈를 구비한 반사볼록렌즈부를 형성하는 반사볼록렌즈부 형성과정;과,상기 반사볼록렌즈부가 형성된 상기 산화물투명전극층의 상부면에 전도성 역반사막전극층을 형성하는 역반사막전극층형성과정;과,역반사막전극층의 상부면에 본딩물질층을 형성한 후 전도성기판을 부착하는 전도성기판층형성과정;과,상기 기판층을 제거하는 기판층 제거과정;과,상기 기판층이 제거된 상기 제 1 반도체층의 저면에 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극형성과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 역반사막을 구비한 엘이디 제작 방법
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