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공진기의 커플링을 이용한 광대역 발룬의 설계 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015200862
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광대역에 걸쳐 평형 신호(balanced signal)를 비평형 신호(unbalanced signal)로 변환하거나, 비평형 신호를 평형 신호로 변환하는 변압기(transformer)구조의 발룬(balun)에 관한 것이다.기존의 광대역 발룬은 주파수에 반비례하는 전송선로(transmission line)를 사용하는 발룬으로서 저주파에서는 선로의 길이가 길어지는 단점이 있다. 또한, 집중소자(lumped component)를 사용한 격자구조의 LC 발룬(lattice type LC balun)을 개선하여 광대역 특성을 얻기 위해서는 소자 개수를 늘려야 하는 단점이 있다. 이러한 방법은 소자의 집적도를 떨어뜨리고, 삽입손실의 증가를 야기한다. 따라서 본 발명은 소자 개수를 줄이면서 평형 단자의 위상(phase)특성과 신호의 세기 특성을 개선한 광대역 발룬에 관한 것이다.집중소자를 사용하면 크기 면에서 전송선로에 유리하다. 하지만, 집중소자를 사용하면 평형 단자에서 이상적인 위상특성을 얻기 힘들다. 본 발명에서는 자기적 커플링을 이용한 LC 공진기 (coupled LC resonator) 조합을 사용하여 광대역 특성을 얻으면서, 평형단자에서 이상적인 위상특성 및 신호의 세기 특성을 갖는 발룬에 관한 것이다. 본 발명에서 제안된 발룬은 고유전률 물질을 사용한 유기기판(organic substrate) 혹은 동박 적층기판(printed circuit board), 저온소결 시레믹 기판 (LTCC)에 수동소자를 내장(embedding)하는 시스템온패키지(system on a package) 기술과 마이크로웨이브 모노리식 집적회로(microwave monolithic integrated circuit) 기술을 적용하여 구현한다.공진기, 발룬 회로, 인덕터, 커패시터, 커플링, 임피던스, 시스템온패키지(SOP), MMIC
Int. CL H01P 5/10 (2006.01)
CPC H01P 5/10(2013.01) H01P 5/10(2013.01) H01P 5/10(2013.01) H01P 5/10(2013.01) H01P 5/10(2013.01)
출원번호/일자 1020070087953 (2007.08.31)
출원인 광운대학교 산학협력단, 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0022527 (2009.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
2 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재영 대한민국 서울 노원구
2 박종철 대한민국 충남 아산시
3 임홍재 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0634544-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2008-5008915-03
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0350771-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5129864-11
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0635397-05
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0647333-19
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0080549-39
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0037597-64
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0192534-09
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0192523-07
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0326858-87
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0617120-13
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0590066-14
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2011-5009922-84
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5173743-65
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
본 발명의 발룬은 도 1과 같이, P1은 비평형 신호 단자로 P2와 P3는 평형신호 단자로 사용하는 3개의 인덕터와 커패시터의 병렬 공진회로로 구성되어있다
2 2
제 1항에 있어서, 같은 회로구조를 갖는 발룬을 마이크로웨이브 모로리식 집적회로(MMIC)기술을 적용하여 구현되는 발룬
3 3
제 1항에 있어서, 같은 회로구조를 갖는 발룬을 저온 동시 소성 세라믹(low temperature co-fired ceramic) 기술을 이용하여 제작되는 발룬
4 4
제 1항에 있어서, 같은 회로구조를 갖는 발룬을 유기적층기판 혹은 동박적층기판등 다 기능성 기판에 내장하여 제작된 발룬
5 5
본 발명의 회로구조를 갖는 발룬을 마이크로웨이브 모노리식 집적회로 기술을 적용하여 저잡음 증폭기(low noise amplifier)나 파워 증폭기(power amplifier)와 집적화하여 제작되는 차동 증폭기
6 6
마이크로웨이브 모노리식 집적회로기술을 바탕으로 본 발명의 회로구조를 갖는 발룬을 사용하여 구현된 평형 믹서(balanced mixer)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터