| 1 |
1
반도체 기판 또는 절연막,
상기 기판 또는 절연막 상에 형성되는 이산화바나듐 막;
상기 이산화바나듐 막 상에 형성되는 실리케이트 글래스 막; 및
상기 이산화 바나듐 막과 실리케이트 글래스 막 상에 형성되는 금속 전극과 리드와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 실리케이트 글래스 막은 상기 이산화바나듐 막 상에 실라놀 화합물[RnSi(OH)4-n], 유리질 형성제, 유기바인더, 및 메탄올을 포함하는 상기 스핀-온-글래스 용액을 상기 이산화바나듐 막 상에 균일하게 도포한 후, 제 1 차 열처리에서 메탄올을 증발시켜서 스핀-온-글래스 막을 형성하고, 제 2 차 열처리에서 상기 스핀-온-글래스 막에서 유기바인더를 제거하고 탈수소화한 후 상기 스핀-온-글래스막을 축합하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 스핀-온-글래스 용액을 상기 이산화바나듐 막 상에 균일하게 도포하는 것은 상기 스핀-온-글래스 용액을 스핀 코터(spin coater) 장비를 사용하여 1000 ~ 5000 rpm 사이에서 10초 내지 60초 동안 상기 이산화바나듐 막 상에 균일하게 도포하는 것을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 제 1 차 열처리는 상기 스핀-온-글래스 용액을 80 ℃, 150 ℃ 및 200 ℃에서 순차적으로 60초간 베이킹하여 메탄올을 증발시켜서 상기 스핀-온-글래스 용액을 고체화시키는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 제 2 차 열처리는 상기 고체화된 스핀-온-글래스 용액을 질소 분위기에서 300 ~ 500 ℃에서 30분 이상 열처리를 하여 상기 실리케이트 글래스 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서
|
| 6 |
6
반도체 기판 또는 절연막을 형성하는 단계;
상기 기판 또는 절연막 상에 이산화바나듐 막을 형성하는 단계;
상기 이산화바나듐 막 상에 실리케이트 글래스 막을 형성하는 단계; 및
상기 실리케이트 글래스 막 상에 금속 전극과 리드와이어를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서 제작방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 실리케이트 글래스 막은 상기 이산화바나듐 막 상에 실라놀 화합물[RnSi(OH)4-n], 유리질 형성제, 유기바인더, 및 메탄올을 포함하는 상기 스핀-온-글래스 용액을 상기 이산화바나듐 막 상에 균일하게 도포한 후, 제 1 차 열처리 단계에서 메탄올을 증발시켜서 스핀-온-글래스 막을 형성하고, 제 2 차 열처리 단계에서 상기 스핀-온-글래스 막에서 유기바인더를 제거하고 탈수소화한 후 상기 스핀-온-글래스막을 축합하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서 제작방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 스핀-온-글래스 용액을 상기 이산화바나듐 막 상에 균일하게 도포하는 것은 상기 스핀-온-글래스 용액을 스핀 코터(spin coater) 장비를 사용하여 1000 ~ 5000 rpm 사이에서 10초 내지 60초 동안 상기 이산화바나듐 막 상에 균일하게 도포하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서 제작방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 제 1 차 열처리 단계는 상기 스핀-온-글래스 용액을 80 ℃, 150 ℃ 및 200 ℃에서 순차적으로 60초간 베이킹하여 메탄올을 증발시켜서 상기 스핀-온-글래스 용액을 고체화시키는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서 제작방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 제 2 차 열처리 단계는 상기 고체화된 스핀-온-글래스 용액을 질소 분위기에서 300 ~ 500 ℃에서 30분 이상 열처리를 하여 상기 실리케이트 글래스 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화바나듐 막을 이용한 온도센서 제작방법
|
