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입사된 빛 중 특정 파장 대역의 빛만을 투과하는 제1 적층 구조물; 및상기 제1 적층 구조물 정면에 적층되며, 상기 제1 적층 구조물로부터 입사된 특정 파장 대역의 빛을 감지 신호로 이용하여 터치를 검출하는 제2 적층 구조물; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 1항에 있어서,상기 제1 적층구조물의 배면에 배치되며, 빛 투과성을 갖는 투명기판; 및상기 제2 적층 구조물 정면에 배치되는 보호성 투명물질층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 1항 및 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 적층 구조물은하부 금속층;상기 하부 금속층 정면에 적층되는 유전체층; 및상기 유전체층 정면에 적층되는 상부 금속층;을 구비하고, 하부 금속층을 통해 유전체층으로 입사된 빛이 유전체층에서 공진 현상을 일으키는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 3항에 있어서, 상기 유전체층은 터치 센서의 외부로부터 인가되는 압력에 의해 두께가 변화되고, 유전체층의 두께 변화에 따라 유전체층을 투과하는 빛의 파장대역이 변화하는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 3항에 있어서, 상부 금속층 및 하부 금속층은금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 3항에 있어서, 유전체층은산화물인 SiO2, CaO, MgO, CeO2, Y2O3 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 1항 및 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 적층 구조물은전체적으로 육면체로 이루어지며, 육면체의 하나의 귀퉁이에 제1 식각홈이 형성되고, 상기 귀퉁이와 연결된 제1 및 제2 모서리를 따라 각각 제2 및 제3 식각홈이 형성되어 있으며, 제1, 제2 및 제3 식각홈은 서로 연결되어 있는 투명물질층;n형 반도체 및 p형 반도체로 이루어지고 상기 제1 식각홈에 배치되는 포토 다이오드;도전성의 물질로 이루어지며, 상기 제2 식각홈에 배치되고, 일단은 포토 다이오드의 n형 반도체와 연결되고 타단은 제2 식각홈의 끝까지 연장되어 있는 제1 투명 전극; 및도전성의 물질로 이루어지며, 상기 제3 식각홈에 배치되고 일단은 포토 다이오드의 p형 반도체와 연결되고, 타단은 제3 식각홈의 끝까지 연장되어 있는 제2 투명전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 7항에 있어서, 상기 포토 다이오드는제1 적층 구조물로부터 빛이 입사되면 전류를 발생시키고, 상기 제1 적층 구조물로부터 빛이 입사되지 않으면 전류를 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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제 1항 및 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 터치 센서를 나노스케일의 한 단위로 하여 다수 개의 터치 센서들을 매트릭스 형태로 배열하여 터치 센서 시스템을 형성하는 것을 특징으로 하는 패브리-패롯 구조를 기반으로 한 터치 센서
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