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산소 플라즈마를 이용한 ITO 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2015200972
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 도전성(Conductivity)과 높은 일함수(Work function) 그리고 뛰어난 투명도(Transparency)를 가지고 있어 디스플레이 산업에서 투명 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(Indium-Tin-Oxide:ITO)의 표면처리에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 본 발명은 ITO소자의 표면의 계면특성을 향상시킨 종래의 산소 플라즈마 표면처리 방법을 최적화 시킨 산소 플라즈마를 이용한 ITO 표면처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 산소 플라즈마를 이용하여 250[W] ~ 300[W]의 에너지에서 10[sec]에서 40[sec]까지 10[sec] 간격으로 처리하고 핫 플레이트에서 30 [min] 베이킹한 후, 상기 플라즈마 처리된 ITO위에 AF는 0.2[Å/s]의 속도로 2.5[nm]의 두께로 5 ⅹ10-6Torr정도의 진공도에서 증착하고, Al 음전극은 5×10-6Torr의 진공도에서 텅스텐 보트를 이용하여 초기 10[nm]까지는 0.5 ~ 1.0 [Å/s]로 20[nm]까지는 5 [Å/s]이하로 증착하고, 이후 15 [Å/s] 정도로 가급적 빠르게 두께 100[nm]를 연속적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 산소 플라즈마를 이용한 ITO 표면처리 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01)
출원번호/일자 1020100071649 (2010.07.23)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1321332-0000 (2013.10.02)
공개번호/일자 10-2012-0009364 (2012.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20131023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최현민 대한민국 강원 태백시
2 한현석 대한민국 서울특별시 중랑구
3 홍진웅 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고홍열 대한민국 경기도 군포시 봉성로 **-*, 대준빌딩 *층 ***호 투윈국제특허법률사무소 (당정동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0478240-11
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0069137-16
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0574356-27
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2011-5009922-84
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062190-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5173743-65
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0562227-02
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0947075-86
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0947112-88
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0248936-12
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0512175-08
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0602958-74
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0603068-22
15 등록결정서
Decision to grant
2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0802108-75
16 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-5027939-03
17 보정요구서
Request for Amendment
2013.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0118544-38
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0930578-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산소 플라즈마를 이용하여 250[W]의 에너지에서 10[sec]에서 40[sec]까지 10[sec] 간격으로 처리하고 핫 플레이트에서 30 [min] 베이킹한 후, 상기 플라즈마 처리된 ITO위에 써멀 에바포레이터(Thermal evaporator)를 이용하여 비정질 플루오르화 폴리머 (AF; amorphous fluoropolymer)를 0
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제 1 항에 있어서,상기 표면처리 방법에 따라 처리된 ITO의 표면 거칠기는 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.