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압전-자성 마이크로 소자, 이를 포함하는 자기 센서 및 압전-자성 마이크로 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015201062
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전 물질과 자성 물질이 일체화된 극미세 사이즈의 MEMS 구조물을 형성함으로써, 자기전기효과 계수를 극대화할 수 있고, 초소형 자기 센서 또는 전류 센서의 구현에 응용할 수 있는 압전-자성 마이크로 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 압전-자성 마이크로 소자는, 지지층, 상기 지지층 상에 적층형으로 형성되는 하부 전극층, 압전 박막층 및 상부 전극층을 포함하는 압전체, 상기 압전체를 덮는 절연층 및 상기 절연층 상에 형성되는 자성 박막층을 포함하고, 상기 지지층, 압전체 및 절연층은 캔틸레버(cantilever) 구조를 이루고, 상기 자성 박막층은 상기 캔틸레버 구조의 돌출부 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B81B 3/00 (2006.01) H01L 29/84 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01)
CPC G01M 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110134956 (2011.12.14)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1340143-0000 (2013.12.04)
공개번호/일자 10-2013-0067912 (2013.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 노원구
2 이동건 대한민국 인천광역시 계양구
3 유용경 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인한벗 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 *, 구세군빌딩 **층 (충정로*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0995592-38
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1018065-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2012-0090505-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0791968-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0174888-37
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0174072-09
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0174889-83
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0475933-78
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.08.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0712645-25
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0712643-34
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0619913-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지층;상기 지지층 상에 적층형으로 형성되는 하부 전극층, 압전 박막층 및 상부 전극층을 포함하는 압전체;상기 압전체를 덮는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되는 자성 박막층을 포함하고,상기 지지층, 압전체 및 절연층은 캔틸레버(cantilever) 구조를 이루고, 상기 자성 박막층은 상기 캔틸레버 구조의 돌출부 상에 형성되며,상기 하부 전극층 및 상기 상부 전극층은 Pt로 형성되고, 상기 압전 박막층은 PZT, PMN-ZT, PVDF 및 BaTiO3 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는압전-자성 마이크로 소자
2 2
제 1항에 있어서,주변 자기장의 변화에 의해 상기 자성 박막층에 스트레인이 발생하면 상기 압전체는 상기 스트레인에 대응하는 전기신호를 발생시키는압전-자성 마이크로 소자
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 자성 박막층은 Terfenol-D, NiFe2O4, Ni, Metglass 및 Permendur 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는압전-자성 마이크로 소자
5 5
다수의 마이크로 소자를 포함하는 자기 센서에 있어서,상기 다수의 마이크로 소자는 서로 쌍을 이루어 형성되고,상기 다수의 마이크로 소자는 공통적으로 캔틸레버(cantilever) 구조의 지지층과, 상기 지지층 상에 적층형으로 형성되는 하부 전극층, 압전 박막층 및 상부 전극층을 포함하는 압전체와, 상기 압전체를 덮는 절연층을 포함하며,상기 쌍을 이루는 마이크로 소자 중 하나는 상기 절연층 상에 형성되는 자성 박막층을 포함하고, 다른 하나는 상기 자성 박막층을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는자기 센서
6 6
지지층 상에 하부 전극층, 압전 박막층 및 상부 전극층을 순차적으로 증착하는 단계;상기 상부 전극층, 압전 박막층 및 하부 전극층에 포토리소그라피 및 식각 공정을 순차적으로 수행하여 압전체를 형성하는 단계;상기 압전체 상에 절연층을 증착하는 단계;상기 지지층의 하부를 식각하여 캔틸레버 구조를 형성하는 단계; 및상기 캔틸레버 구조의 돌출부의 절연층 상에 자성 박막층을 증착하는 단계를 포함하는 압전-자성 마이크로 소자의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 자성 박막층은 Terfenol-D, NiFe2O4, Ni, Metglass 및 Permendur 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 증착되는압전-자성 마이크로 소자의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 Terfenol-D 물질로 상기 자성 박막층을 형성할 경우, 상기 자성 박막층의 증착 중 또는 증착 후에 상기 자성 박막층을 열처리(annealing)하는 단계를 더 포함하는 압전-자성 마이크로 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.