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대기압 플라즈마 소스

  • 기술번호 : KST2015201081
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 생명공학용 내지는 의료용으로 응용할 수 있는 대기압 플라즈마 소스의 구성에 관한 것으로, 종래 전극구조로는 플라즈마가 피 처리물에 직접 잘 닿지 않아 처리 효과를 제대로 발휘할 수 없는 문제를 해결하고자 제안되었다.본 발명에 따르면, 기판의 일면에 X 전극과 Y 전극을 모두 포토리소그래피로 형성하고 이들을 유전체/2차전자생성층/수화방지층으로 코팅하여 제작하며, 특히 포토리소그래피를 이용하므로 전극밀도를 높여 저전력 고밀도 플라즈마 면 방전을 가능케 하고, 피처리물에 플라즈마가 직접 닿을 수 있게 하였으며(Direct Plasma), 수화방지막으로 인하여 플라즈마 소스의 수명을 장기화하였다.
Int. CL H01J 27/16 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020120054037 (2012.05.22)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1417273-0000 (2014.06.30)
공개번호/일자 10-2013-0130324 (2013.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최 은하 대한민국 서울특별시 노원구
2 이 상학 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0407329-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037633-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0583972-04
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0959107-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0959218-13
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0138019-36
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0390968-37
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0390919-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
11 등록결정서
Decision to grant
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0448916-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 일면인 동일 평면 위에 서로 간격을 두고 형성되되, 서로를 향해 돌출된 형상을 구비하여 전극 간 간격을 좁혀 방전효율을 향상시키는 X 전극 및 Y 전극;상기 X 전극 및 Y 전극을 둘러싸는 유전체; 및상기 유전체를 둘러싸는 수화방지막;을 포함하여, 플라즈마 방전공간은 피처리물이 위치하는 곳이 되게 한 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전체와 수화방지막 사이에 상기 유전체를 둘러싸는 2차 전자생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 X 전극과 Y 전극은 각각 T자형, 'ㅗ' 자형, 'n'자형, 'H'자형, 'h'자형, '+'자형, '王'자형 중 어느 하나를 포함하는 형상인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
4 4
제3항에 있어서, 상기 X 전극과 Y 전극은 'ㅗ' 자형, 'n'자형, 'H'자형, 'h'자형, '+'자형, '王'자형 중 어느 하나를 포함하는 형상을 반복 배열하여 메쉬 전극을 이루는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 전자생성층은 MgO, MgSrO, MgCaO 중 어느 하나를 포함한 재료로 구성하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수화방지막은 Al2O3 인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 평면 또는 곡면으로 이루어지고, 냉각장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판은 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리올레핀(PO), PES(polyether sulfone) 중 어느 하나로 구성하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
9 9
기판의 일면에 포토리소그래피를 이용하여 서로를 향해 돌출 형상을 구비하여 전극 간 간격을 좁힌 X 전극 및 Y 전극을 동일평면에 존재하도록 형성하는 단계;상기 X 전극 및 Y 전극을 둘러싸도록 유전체를 코팅하는 단계;상기 유전체를 둘러싸도록 2차 전자생성층을 코팅하는 단계; 및상기 2차 전자생성층을 둘러싸도록 수화방지막을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 유전체 코팅은, 스크린 프린팅, 스핀 코팅, 딥 코팅 중 어느 하나로 실시하고, 상기 2차 전자생성층은 전자빔 증착, 스퍼터(sputter), 원자층 증착법(ALD), 이온 플레이팅(Ion Plating) 중 어느 하나로 실시하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 수화방지막의 코팅은, 전자빔 증착, 스퍼터, 원자층 증착법(ALD), 이온 플레이팅(Ion Plating) 중 어느 하나로 실시하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스의 제조방법
12 12
기판;상기 기판의 후면에 형성되는 전극 및상기 전극을 덮는 유전체층;을 포함하는 전극 모듈 두 개를 서로 마주하게 하되, 상기 기판과 기판 사이에 피처리물을 놓을 수 있도록 상기 전극 모듈을 배치하고, 상기 전극들에 전원의 서로 다른 극성 단자를 인가하여 상기 기판과 기판 사이에서 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스
13 13
제9항에 있어서, 수화방지막을 코팅하는 단계 이후, 냉각장치를 설치하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 소스의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 광운대학교 산학협력단 이공학분야 기초연구사업- 선도연구센터지원사업 - 이공학 SRC 플라즈마 바이오 과학 연구센터