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고분자 매트릭스, 이온운반체 (ionophore) 및 하기 식 1 또는 2로 표현되는 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물:[식 1][식 2]
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제 1항에서,상기 고분자 매트릭스는 폴리비닐클로라이드 (poly(vinyl chloride), 실리콘 러버 (silicone rubber), 폴리우레탄 (polyurethane), 폴리비닐클로라이드 카복실레이트 (poly(vinyl chloride) carboxylate), 폴리비닐클로라이드 아미네이트 (poly(vinyl chloride) aminate), 폴리메틸아크릴레이트 (poly(methylacrylate), 폴리에틸렌옥사이드 (poly(ethylene oxide)), 크세로겔 (xerogel) 및 그 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물
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제1항에서, 상기 이온 운반체는 포타슘 이온 (K+), 소듐 이온 (Na+), 수소 이온 (H+), 리튬 이온 (Li+), 루비듐 이온 (Rb+), 세슘 이온 (Cs+), 마그네슘 이온 (Mg2+), 칼슘 이온 (Ca2+), 스트론튬 이온 (Sr2+), 바륨 이온 (Ba2+), 구리 이온 (Cu2+), 은 이온 (Ag+), 아연 이온 (Zn2+), 카드뮴 이온 (Cd2+), 수은 이온 (Hg2+), 탈륨 이온 (Tl+), 납 이온 (Pb2+), 산화우라늄 이온 (UO22+), 사마륨 이온 (Sm3+), 암모늄 이온 (NH4+), 탄산 이온 (CO32-), 티오시안산 이온 (SCN-), 아질산 이온(NO2-), 수산화 이온(OH-), 인화수소 이온 (HPO42-), 아황화수소 이온 (HSO3-), 황산 이온 (SO42-), 염화 이온 (Cl-), 과염소산 이온 (ClO4-), 아이오딘화 이온 (I-), 삼요오드화 이온 (I3-) 및 불소 이온 (F-)으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 이온의 운반체인 것을 특징으로 하는 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물
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제1항에서, 상기 전도성 고분자는 조성물 전체에 대하여 0
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제1항에서, 상기 조성물은 CHCl3, CH2Cl2, 및 테트라하이드로퓨란 (Tetrahydrofuran, THF)으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 용매를 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물
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제1항에서, 상기 조성물 중 고체 성분의 양은 10 ~ 40 중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물
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제1항에서, 상기 조성물에는 포타슘 테트라키스(4-클로로페닐)보레이트(potassium tetrakis(4-chlorophenyl)borate (KTpClPB)), 포타슘 테트라키스[3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐]보레이트(potassium tetrakis[3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]borate (KTFPB)), 소듐 테트라키스[3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐]보레이트(Sodium tetrakis[3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]borate (NaTFPB)), 소듐 테트라키스 (4-플루오로페닐)보레이트 디하이드레이트(Sodium tetrakis(4-fluorophenyl)borate Dihydrate (NaTpFPB)), 소듐 테트라페닐보레이트(sodium tetraphenylborate (NaTPB)), 테트라부틸암모늄 테트라페닐보레이트(Tetrabutylammonium tetraphenylborate (TBATPB)), 트리도데실메틸암모늄 클로라이드(tridodecylmethylammonium chloride, TDMACl), 트리도데실메틸암모늄 나이트레이트(tridodecylmethylammonium nitrate), 테트라옥틸암모늄 브로마이드(tetraoctylammonium bromide), 테트라도데실암모늄 테트라키스(4-클로로페닐)보레이트(Tetradodecylammonium tetrakis(4-chlorophenyl)borate (ETH500)), 테트라헵틸암모늄 테트라페닐보레이트(Tetraheptylammonium tetraphenylborate (THATPB)) 및 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트(Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (TPPTPB))로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상의 첨가제가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물
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기판 상에 인쇄된 은/염화은 전극 및 상기 은/염화은 전극 위로 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 고체상 이온선택성 막전극 제조용 조성물이 드롭-코팅된 이온선택성 막을 포함하는 작업전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온센서
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제8항에서, 상기 이온선택성 막은 하기 식 1 또는 2로 표현되는 전도성 고분자를 전체 막 중량에 대하여 0
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제8항에서, 상기 이온선택성 막은 실리콘 러버를 고분자 매트릭스로 포함하는 것을 특징으로 하는 이온센서
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제8항에서, 상기 이온선택성 막은 100~300 μm의 두께인 것을 특징으로 하는 이온센서
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제8항에서, 상기 이온센서는 포타슘 이온 (K+), 소듐 이온 (Na+), 수소 이온 (H+), 리튬 이온 (Li+), 루비듐 이온 (Rb+), 세슘 이온 (Cs+), 마그네슘 이온 (Mg2+), 칼슘 이온 (Ca2+), 스트론튬 이온 (Sr2+), 바륨 이온 (Ba2+), 구리 이온 (Cu2+), 은 이온 (Ag+), 아연 이온 (Zn2+), 카드뮴 이온 (Cd2+), 수은 이온 (Hg2+), 탈륨 이온 (Tl+), 납 이온 (Pb2+), 산화우라늄 이온 (UO22+), 사마륨 이온 (Sm3+), 암모늄 이온 (NH4+), 탄산 이온 (CO32-), 티오시안산 이온 (SCN-), 아질산 이온(NO2-), 수산화 이온(OH-), 인화수소 이온 (HPO42-), 아황화수소 이온 (HSO3-), 황산 이온 (SO42-), 염화 이온 (Cl-), 과염소산 이온 (ClO4-), 아이오딘화 이온 (I-), 삼요오드화 이온 (I3-) 및 불소 이온 (F-)으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 이온에 대해 선택성을 나타내는 것을 특징으로 하는 이온센서
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제8항에서, 상기 작업전극은 디스크 전극(disk electrode), 스크린 프린팅 전극(screen printing electrode) 또는 바늘 형태인 것을 특징으로 하는 이온센서
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