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압전 박막층, 상기 압전 박막층의 상, 하부에 각각 형성되는 상부 전극층 및 하부 전극층을 포함하는 압전체와,상기 압전체의 상부에 형성되는 자성 박막층과,상기 압전체의 하부 양 끝단에 형성되는 지지층과,상기 압전체와 상기 자성 박막층 사이에 형성되는 절연층을 포함하고,상기 지지층으로 인해 상기 압전체는 하부의 일부가 노출된 브릿지(bridge) 구조를 이루는 것을 특징으로 하는압전-자성 마이크로 소자
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제 1항에 있어서,상기 자성 박막층은 상기 압전체 중 하부가 노출된 브릿지 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는압전-자성 마이크로 소자
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제 1항에 있어서,주변 자기장의 변화에 의해 상기 자성 박막층에 스트레인이 발생하면, 상기 압전체는 상기 스트레인에 대응하는 전기신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는압전-자성 마이크로 소자
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제 1항에 있어서,상기 지지층은 SiNx, poly-Si, SiO2 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되고, 상기 하부 전극층 및 상기 상부 전극층은 Pt로 형성되고, 상기 압전 박막층은 PZT, PMN-ZT, PVDF 및 BaTiO3 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는압전-자성 마이크로 소자
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제 1항에 있어서,상기 자성 박막층은 Terfenol-D, NiFe2O4, Ni, Metglass 및 Permendur 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는압전-자성 마이크로 소자
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다수의 마이크로 소자를 포함하는 자기 센서에 있어서,상기 다수의 마이크로 소자는 서로 쌍을 이루어 형성되고,상기 다수의 마이크로 소자는 공통적으로 압전 박막층, 상기 압전 박막층의 상, 하부에 각각 형성되는 상부 전극층 및 하부 전극층을 포함하는 압전체와, 상기 압전체의 하부 양 끝단에 형성되는 지지층을 포함하고,상기 지지층으로 인해 상기 압전체는 하부의 일부가 노출된 브릿지(bridge) 구조를 이루며,상기 쌍을 이루는 마이크로 소자 중 하나는 상기 압전체의 상부에 형성되는 자성 박막층과, 상기 압전체와 상기 자성 박막층 사이에 형성되는 절연층을 포함하고, 다른 하나는 상기 자성 박막층을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는자기 센서
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제 7항에 있어서,상기 자성 박막층은 상기 압전체 중 하부가 노출된 브릿지 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는자기 센서
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지지층 상에 하부 전극층, 압전 박막층 및 상부 전극층을 순차적으로 증착하는 단계와,상기 상부 전극층, 압전 박막층 및 하부 전극층에 포토리소그라피 및 식각 공정을 순차적으로 수행하여 압전체를 형성하는 단계와,상기 압전체의 하부 일부가 노출되도록 상기 지지층의 하부를 식각하여 브릿지(bridge) 구조를 형성하는 단계와,상기 압전체 상부에 절연층을 증착하는 단계와,상기 압전체 중 하부가 노출된 브릿지 영역의 상부에 자성 박막층을 증착하는 단계를 포함하는 압전-자성 마이크로 소자의 제조 방법
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