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기판과;상기 기판 상에 서로 다른 길이의 링 구조로 이루어지는 복수개의 금속도체패턴이 동심을 가지고 일정한 간격으로 이격배치되며, 상기 복수개의 금속도체패턴 중 최내각에 위치하고 링 구조로 이루어지는 금속도체패턴 일부가 제 1 방향으로 절단된 채 형성되는 제 1 패턴과, 상기 제 1 패턴의 바깥쪽에 위치하고 링 구조로 이루어지는 금속도체패턴 일부가 제 2 방향으로 절단된 채 형성되는 제 2 패턴과, 상기 복수개의 금속도체패턴 중 최외각에 위치하고 링 구조로 이루어지는 금속도체패턴 일부가 제 3 방향으로 절단된 채 형성되는 제 3 패턴을 포함하며, 상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향과 서로 마주보고 상기 제 3 방향과 서로 평행하게 형성되는 링 공진패턴부와;상기 링 공진패턴부의 중심부에 배치되고, 상기 링 공진패턴부를 구성하는 복수개의 금속도체패턴 중 최내각에 위치한 금속도체패턴과 전기적으로 연결되어 음의 투자율 특성을 가지며 공진기의 크기 및 주파수 대역 조절이 가능한 금속도체패턴으로 형성되는 익스텐디드 공진패턴부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 1에 있어서, 상기 링 공진패턴부를 구성하는 서로 다른 길이의 링 구조로 이루어지는 복수개의 금속도체패턴 중 인접한 금속도체패턴은 상호간에 서로 커플링 결합하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 4에 있어서, 상기 커플링 결합에 의하여 극성을 갖는 전압과 전계가 발생하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 1에 있어서, 상기 익스텐디드 공진패턴부는,상기 복수개의 금속도체패턴 중 최내각에 위치하며, 링 구조를 갖는 금속도체패턴의 빈공간 중심부에 형성되는 사각형상의 익스텐디드 패치부; 및일단은 상기 익스텐디드 패치부와 전기적으로 연결되고 타단은 상기 복수개의 금속도체패턴 중 최내각에 위치한 금속도체패턴의 일부와 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 익스텐디드 라인패턴부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 6에 있어서, 상기 익스텐디드 공진패턴부는, 상기 익스텐디드 라인패턴부의 길이 및 상기 익스텐디드 패치부의 둘레길이를 조절하여 주파수대역을 조절하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 7에 있어서, 상기 익스텐디드 라인패턴부의 길이(L1)와 상기 익스텐디드 패치부의 둘레길이(L2)는 서로 반비례하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 1에 있어서, 외부 자기장 에너지가 인가되면 상기 링 공진패턴부를 구성하는 복수개의 금속도체패턴상에 유도 전류와 유도 자기장이 발생되고, 외부 자기장 에너지는 유도 전류 및 유도 자기장을 방해하는 방향으로 발생하여 투자율 값이 음의 정수로 변하게 됨으로써 위상 흐름이 에너지 전달 방향과 반대가 되어 메타 물질의 위상이 +90°의 비선형적인 기울로 동작하는 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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청구항 1에 있어서, 저위상 잡음 발진기(Oscillator), 전압제어발진기(VCO;Voltage Controlled Oscillator), 주파수 혼합기(MIXER)를 위한 대역통과 여파기, 듀플렉서(duplexer), 다이플렉서(Diplexer), 안테나, 위상루프고정기(PLL), 주파수합성기(Frequency synthesizer), 및 RF시스템을 위한 증폭기(Amplifier)에 적용이 가능한 것을 특징으로 하는 음의 투자율 특성을 갖는 메타물질을 이용한 다중 스플리트 링 공진기
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