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투명기판;상기 투명기판 위에 적층된 자발적으로 형성되는 링클 구조를 갖는 고굴절률 박막 및 상기 링클 구조를 갖는 고굴절률 박막 위에 적층된 저굴절률 박막으로 구성되는 이중 박막층;상기 이중 박막층 위에 적층된 투명 전극;상기 투명 전극 위에 적층된 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 위에 적층된 상대 전극;을 포함하되,상기 이중 박막층에 있어서, 상기 링클 구조는 상기 고굴절률 박막과 그 위에 적층된 저굴절률 박막의 계면을 형성하며, 저굴절률 박막과 투명 전극의 계면은 링클 구조에 비해 상대적으로 평탄하게 형성되어 링클 형상이 유기 발광층에 전파되는 것을 막은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 링클 구조체의 주기는 20 nm 내지 5,000 nm 이고 높이는 20 nm 내지 5,000 nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 링클 구조를 내포하는 고굴절률 박막층의 굴절률은 1
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제1항에 있어서, 상기 링클 구조를 내포하는 고굴절/저굴절률 이중 박막층들은 무기물 콜로이드 졸, 금속 산화물, 금속 황화물 및 금속 질화물, 폴리머-금속 산화물로 구성되는 유무기 하이브리드 용액, 무기물 콜로이드 입자와 유기물이 혼합된 복합 용액, 폴리 비닐 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 이미드 수지, 폴리 스틸렌 수지, 폴리 카보네이트 수지, 폴리 에틸렌 수지, PMMA(poly methyl methacrylate) 수지, 폴리 프로필렌 수지, 실리콘 수지 중 적어도 하나를 도포한 후 건조시켜 형성되는 유기 발광 소자
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투명기판을 세정하여 준비하는 단계;상기 투명기판 위에 고굴절률 박막을 적층 하는 단계;상기 고굴절률 박막에 열, 광 또는 이온빔 조사 중 어느 하나 이상을 이용한 후처리로 링클 구조를 형성하는 단계;상기 링클 구조의 고굴절률 박막 위에 저굴절률 박막 층을 적층하여 이중 박막층을 형성하는 단계;상기 링클 구조를 내포하는 고굴절/저굴절률 이중 박막층들 위에 투명 전극을 적층하는 단계;상기 투명 전극 위에 유기 발광 층을 적층하는 단계; 및상기 유기 발광층 위에 상대전극을 적층하여 유기 전계 발광 소자를 구성하는 단계; 를 포함하되,상기 링클 구조체의 주기는 20 nm 내지 5,000 nm 이고 높이는 20 nm 내지 5,000 nm 로 하여,상기 이중 박막층에 있어서, 상기 링클 구조는 상기 고굴절률 박막과 그 위에 적층된 저굴절률 박막의 계면을 형성하며, 저굴절률 박막과 투명 전극의 계면은 링클 구조에 비해 상대적으로 평탄하게 형성되어 링클 형상이 유기 발광층에 전파되는 것을 막은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 링클 구조를 내포하는 고굴절/저굴절률 이중 박막층들은 광 굴절율의 차이가 0
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제5항에 있어서, 상기 링클 구조의 주기 및 높이는 상기 링클 구조를 갖는 고굴절률 박막 층 조성물의 호스트 물질에 대한 도핑 게스트 물질 농도 비를 제어하여 조절하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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