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탄화규소 기판 상에 형성되는 에피탁시층,상기 에피탁시층의 일부에 형성되고, 제1 도핑 농도를 가지는 제1 웰 영역,상기 에피탁시층의 다른 일부에 형성되고, 제2 도핑 농도를 가지는 제2 웰 영역,상기 제1 웰 영역 내의 상부에 형성되는 도핑 영역,상기 제2 웰 영역 및 상기 에피탁시층 상에 형성되는 게이트 산화막, 상기 게이트 산화막 및 상기 도핑 영역 상에 각각 형성되는 상부 금속막, 그리고상기 탄화규소 기판의 후면에 형성되는 하부 금속막을 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터
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제 1 항에서,상기 제2 도핑 농도는,상기 제1 도핑 농도보다 낮은 탄화규소 전계효과 트랜지스터
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제 1 항에서,상기 제1 웰 영역은,상기 제2 웰 영역과 단차지게 형성되는 탄화규소 전계효과 트랜지스터
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제 1 항에서,상기 제1 도핑 농도는,8×e17 ㎝-3 ~ 2×e18 ㎝-3 이고,상기 제2 도핑 농도는,1×e17 ㎝-3 ~ 3×e17 ㎝-3 인 탄화규소 전계효과 트랜지스터
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제 1 항에서,상기 제1 웰 영역은,깊이가 0
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제 1 항에서,상기 제1 및 제2 웰 영역은,상기 에피탁시층에 서로 다른 농도의 P형 이온을 주입하여 형성되는 탄화규소 전계효과 트랜지스터
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제 1 항에서,상기 도핑 영역은,상기 제1 웰 영역 내의 상부에 형성되는 제1 도핑 영역과 제2 도핑 영역을 포함하고,상기 제1 도핑 영역은 상기 제1 웰 영역과 다른 극성의 이온을 주입하여 형성되고, 상기 제2 도핑 영역은 상기 제1 웰 영역과 동일 극성의 이온을 주입하여 형성되며, 상기 제1 도핑 영역은 상기 제2 도핑 영역과 상기 제2 웰 영역 사이에 형성되는 탄화규소 전계효과 트랜지스터
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