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갈륨 질화물계 반도체 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 파워 모듈

  • 기술번호 : KST2015201176
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 갈륨 질화물계 반도체 소자는, 기판의 제1 면 상에 형성된 소스 오믹층 및 드레인 오믹층; 상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층 사이의 상기 기판의 상기 제1 면 상에 형성된 게이트 전극; 상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층에 각각 연결된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 형성된 소스 패드 및 드레인 패드; 및 상기 소스 패드의 측벽으로부터 상기 기판의 측벽 상에 컨포말하게 형성되어, 상기 기판의 제2 면까지 연장되는 소스 그라운드 전극;을 포함하며, 상기 소스 전극은 상기 게이트 전극과 수직적으로 오버랩된다. 또한, 본 발명은 상기 갈륨 질화물계 반도체 소자를 포함하는 파워 모듈을 제공한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01)
출원번호/일자 1020140019217 (2014.02.19)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1402147-0000 (2014.05.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0012949 (2013.02.05)
관련 출원번호 1020130012949
심사청구여부/일자 Y (2014.02.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 왕종 중국 서울특별시 중구
2 조성진 대한민국 서울특별시 송파구
3 김남영 대한민국 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0163582-59
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0179328-34
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0276054-81
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0276055-26
5 등록결정서
Decision to grant
2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0279760-68
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 제1 면 상에 형성된 소스 오믹층 및 드레인 오믹층;상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층 사이의 상기 기판의 상기 제1 면 상에 형성된 게이트 전극;상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층에 각각 연결된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 형성된 소스 패드 및 드레인 패드; 및상기 소스 패드의 측벽으로부터 상기 기판의 측벽 상에 컨포말하게 형성되어, 상기 기판의 제2 면까지 연장되는 소스 그라운드 전극;을 포함하며, 상기 소스 전극은 상기 게이트 전극과 수직적으로 오버랩되는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극 사이에 실리콘 질화물로 형성된 패시베이션층이 개재된 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 하부 폭이 상부 폭보다 작은 감마 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 소스 그라운드 전극은 상기 기판의 상기 제2 면으로부터 상기 소스 패드와 접합되는 부분까지 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자
5 5
기판 상에 형성된 그라운드층;상기 그라운드층 상에 형성되며, 유전 물질을 포함하는 유전층;상기 그라운드층 상에 상기 유전층과 이격되어 실장된 청구항 제1항에 따른 갈륨 질화물계 반도체 소자; 상기 유전층 상의 상부 전극; 및상기 상부 전극에 연결되는 에어-브릿지 접속부(air-bridge interconnection);를 포함하는 파워 모듈
6 6
제5항에 있어서,상기 유전층은 바륨티타늄 산화물(BaTiO3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 모듈
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1 KR101392398 KR 대한민국 FAMILY

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