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탄화규소 기판 상에 에피탁시층을 형성하는 단계,상기 에피탁시층의 일부에 제1 도핑 농도를 가지는 제1 웰 영역을 형성하는 단계,상기 에피탁시층의 다른 일부에 제2 도핑 농도를 가지는 제2 웰 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 웰 영역 내의 상부에 도핑 영역을 형성하는 단계,상기 제2 웰 영역 및 상기 에피탁시층 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계, 상기 게이트 산화막 및 상기 도핑 영역 상에 상부 금속막을 각각 형성하는 단계, 그리고상기 탄화규소 기판의 후면에 하부 금속막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 도핑 농도는,상기 제1 도핑 농도보다 낮고,상기 제1 도핑 농도는,8×e17 ㎝-3 ~ 2×e18 ㎝-3 이고,상기 제2 도핑 농도는,1×e17 ㎝-3 ~ 3×e17 ㎝-3 인 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에서,상기 제1 웰 영역은,상기 제2 웰 영역과 단차지게 형성되는 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에서,상기 에피탁시층의 일부에 제1 도핑 농도를 가지는 제1 웰 영역을 형성하는 단계는,상기 에피탁시층의 일부에 상기 제1 웰 영역의 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 웰 영역의 패턴이 형성된 상기 에피탁시층에 P형 이온을 주입하여 상기 제1 도핑 농도를 가지는 P형의 제1 웰 영역을 형성하는 단계를 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에서,상기 에피탁시층의 다른 일부에 제2 도핑 농도를 가지는 제2 웰 영역을 형성하는 단계는, 상기 에피탁시층의 다른 일부에 상기 제2 웰 영역의 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 제2 웰 영역의 패턴이 형성된 상기 에피탁시층에 P형 이온을 주입하여 상기 제1 도핑 농도와 다른 상기 제2 도핑 농도를 가지는 P형의 제2 웰 영역을 형성하는 단계를 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에서,상기 제1 웰 영역 내의 상부에 도핑 영역을 형성하는 단계는,상기 제1 웰 영역 내의 상부에 상기 제1 웰 영역과 다른 극성의 이온을 주입하여 제1 도핑 영역을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 웰 영역 내의 상부에 상기 제1 웰 영역과 동일 극성의 이온을 주입하여 제2 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 도핑 영역은 상기 제2 도핑 영역과 상기 제2 웰 영역 사이에 형성되는 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에서,상기 제1 웰 영역은,깊이가 0
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