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Ｎａｎｏ ｆｕｍｅｄ ｓｉｌｉｃａ를 포함하는 칩 적층용비 전도성 접착제의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015201231
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노미터 크기의 비 전도성 입자를 포함하는 칩 적층용 접착제의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 소량의 첨가로 우수한 특성을 발현하는 나노미터 크기의 비전도성 입자와 열 경화성 수지를 혼합하여 칩 적층용 접착제를 제조하는 것을 특징으로 하며, 제조된 비 전도성 접착제는 칩 적층용 접착제 뿐만 아니라 플립칩용 접착제로써 유용하다.NCA(Non-Conductive Adhesives), 칩 적층(Chip-stacking), Nano Fumed Silica
Int. CL C09J 163/00 (2011.01) C09J 9/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C09J 11/00(2013.01) C09J 11/00(2013.01) C09J 11/00(2013.01) C09J 11/00(2013.01) C09J 11/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070092978 (2007.09.13)
출원인 광운대학교 산학협력단, 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0027845 (2009.03.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
2 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대흠 대한민국 서울특별시 노원구
2 이동현 대한민국 서울 중랑구
3 임홍재 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0663753-12
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0929814-71
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0935660-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2008-5008915-03
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0019520-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5129864-11
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0635431-60
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0647333-19
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0176097-05
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0319748-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2011-5009922-84
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5173743-65
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
액상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지를 50 ~ 70 wt%, 반고상의 페놀노볼락 수지를 30 ~ 50 wt%의 함량으로 혼합하여 수지 혼합물을 유기용매 내에서 교반, 혼합시켜 열경화성 수지를 형성하는 1 단계, aggregation의 방지하기 위해 실란 커플링제로 표면 개질된 나노미터 크기의 비 전도성 입자와 함께 메틸에틸케톤에 혼합하여 앞 단계에서 제조한 열경화성 수지 및 에폭시 수지당 5 ~ 15 pph 의 이미다졸계 경화제를 혼합하는 2단계, 고른 분산을 위해 ultra sonication을 하는 3단계, 기공 등의 불순물을 제거하는 4단계, 필름형태로 성형하는 5단계를 통한 나노미터 크기의 비 전도성 입자를 포함하는 칩 적층용 접착제의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서 비닐트리클로로실란, 비닐트리(2-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필-트리메톡시실란, -3-글리시딜록시프로필메틸디에톡시실란 등의 실란 커플링제를 충진제 중량대비 0
3 3
제 1항에 있어서 비 전도성 입자가 직경 7 ~ 15nm 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 비 전도성 입자를 포함하는 칩 적층용 접착제의 제조방법
4 4
나노미터 크기의 비 전도성 입자를 포함하는 칩 적층용 접착제 있어서 나노미터 크기의 비 전도성 입자가 30 ~ 80 vol%를 차지하는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 비 전도성 입자를 포함하는 칩 적층용 접착제의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서 필름 형태의 접착제의 두께가 10 ~ 25 μm 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 비 전도성 입자를 포함하는 칩 적층용 접착제의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노 공정 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터