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탄화규소 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015201282
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 탄화규소 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법은 탄화규소 기판 상에 에피탁시층을 형성하는 단계, 에피탁시층에 웰 영역을 형성하는 단계, 웰 영역의 내부에 도핑 영역을 형성하는 단계, 웰 영역과 미리 정해져 있는 거리만큼 이격된 에피탁시층에 매립 영역을 형성하는 단계, 매립 영역 및 채널 영역 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계, 게이트 산화막 및 도핑 영역 상에 상부 금속막을 형성하는 단계, 그리고 탄화규소 기판의 후면에 하부 금속막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 탄화규소를 이용한 전계효과 트랜지스터의 항복 전압과 문턱 전압을 동시에 향상시킬 수 있다.
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC	H01L 29/66287(2013.01) H01L 29/66287(2013.01) H01L 29/66287(2013.01) H01L 29/66287(2013.01)
출원번호/일자	1020130012569 (2013.02.04)
출원인	광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0099762 (2014.08.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.02.04)
심사청구항수	4

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	광운대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 노원구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	구상모	대한민국	서울특별시 성동구
2	강민석	대한민국	서울특별시 동작구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인명인	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.02.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0104642-49
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.12.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.01.13	수리 (Accepted)	9-1-2014-0005563-84
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0062960-60
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.03.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0279523-18
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0402547-56
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.05.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0499935-19
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.05.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0499934-63
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.03	수리 (Accepted)	4-1-2014-5067673-62
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.10.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0712712-78
11	[법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)	2014.11.20	수리 (Accepted)	7-1-2014-0044142-66
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2015-5074994-12
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.05.09	수리 (Accepted)	4-1-2016-5056854-41
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.27	수리 (Accepted)	4-1-2017-5046666-19

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 탄화규소 기판 상에 에피탁시층을 형성하는 단계,상기 에피탁시층에 웰 영역을 형성하는 단계, 상기 웰 영역의 내부에 도핑 영역을 형성하는 단계,상기 웰 영역과 미리 정해져 있는 거리만큼 이격된 상기 에피탁시층에 매립 영역을 형성하는 단계,상기 매립 영역 및 채널 영역 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계, 상기 게이트 산화막 및 상기 도핑 영역 상에 상부 금속막을 형성하는 단계, 그리고상기 탄화규소 기판의 후면에 하부 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
2	2 제 1 항에서,상기 웰 영역과 미리 정해져 있는 거리만큼 이격된 상기 에피탁시층에 매립 영역을 형성하는 단계는,상기 웰 영역과 미리 정해져 있는 거리만큼 이격된 상기 에피탁시층에 P형 이온을 주입하는 이온 주입법을 사용하여 P형의 매립 영역을 형성하는 단계를 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
3	3 제 1 항에서,상기 매립 영역은,도핑 농도가 1×1018 ㎝-3 ~ 1×1020 ㎝-3 인 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
4	4 제 3 항에서,상기 매립 영역은,상기 도핑 농도가 1×1019 ㎝-3인 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 제조방법
5	5 제 1 항에서,상기 매립 영역과 상기 웰 영역 간의 거리는,0
6	6 제 5 항에서,상기 매립 영역과 상기 웰 영역 간의 거리는,0
7	7 탄화규소 기판 상에 형성되는 에피탁시층,상기 에피탁시층에 형성되는 웰 영역, 상기 웰 영역의 내부에 형성되는 도핑 영역,상기 웰 영역과 미리 정해져 있는 거리만큼 이격된 상기 에피탁시층에 형성되는 매립 영역,상기 매립 영역 및 채널 영역 상에 형성되는 게이트 산화막, 상기 게이트 산화막 및 상기 도핑 영역 상에 형성되는 상부 금속막, 그리고상기 탄화규소 기판의 후면에 형성되는 하부 금속막를 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터
8	8 제 7 항에서,상기 매립 영역은,P형 이온을 주입하는 이온 주입법을 사용하여 형성되는 P형의 매립 영역을 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터
9	9 제 7 항에서,상기 매립 영역은,도핑 농도가 1×1018 ㎝-3 ~ 1×1020 ㎝-3 인 탄화규소 전계효과 트랜지스터
10	10 제 9 항에서,상기 매립 영역은,상기 도핑 농도가 1×1019 ㎝-3 인 탄화규소 전계효과 트랜지스터
11	11 제 7 항에서,상기 매립 영역과 상기 웰 영역 간의 거리는, 0
12	12 제 11 항에서,상기 매립 영역과 상기 웰 영역 간의 거리는,0

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	중소기업청	광운대학교 산학협력단	산학연공동기술개발사업	고온/고에너지 이온 주입 공정을 이용한 고효율 4H-SiC Accumulation Power MOSFET 개발

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.02.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0104642-49
2	선행기술조사의뢰서	2013.12.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2014.01.13	수리 (Accepted)	9-1-2014-0005563-84
4	의견제출통지서	2014.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0062960-60
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.03.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0279523-18
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0402547-56
7	[명세서등 보정]보정서	2014.05.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0499935-19
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.05.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0499934-63
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.03	수리 (Accepted)	4-1-2014-5067673-62
10	거절결정서	2014.10.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0712712-78
11	[법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.11.20	수리 (Accepted)	7-1-2014-0044142-66
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2015-5074994-12
13	출원인정보변경(경정)신고서	2016.05.09	수리 (Accepted)	4-1-2016-5056854-41
14	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.27	수리 (Accepted)	4-1-2017-5046666-19


과제고유번호	1425076070
세부과제번호	C0010549
연구과제명	고온/고에너지 이온 주입 공정을 이용한 고효율 4H-SiC Accumulation Power MOSFET 개발
성과구분	출원
부처명	중소기업청
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	201206~201405
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

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