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(1) 하드 마스크 패턴을 마스크로 하여 포토리소그래픽(photo lithographic) 또는 전자빔(e-beam) 공정에 의해 실리콘 기판의 중앙을 기준으로 양 측부에 소스/드레인 영역을 각각 형성할 'I'자 형태의 활성 핀(fin)을 패터닝하는 단계;
(2) 상기 하드 마스크 패턴을 제거한 후, 산화막(field oxide)을 증착시키고, 습식 식각으로 소자를 절연시키는 단계;
(3) 상기 소스/드레인 영역을 형성할 'I'자 형태의 활성 핀 영역에 제1 산화막을 형성하는 단계;
(4) 폴리실리콘을 증착(deposition)하고, 상기 증착된 폴리실리콘에 하드 마스크 패턴을 마스크로 하여 'T'자 형태의 게이트를 패터닝하는 단계;
(5) 상기 형성된 'T'자 형태의 게이트 영역에 제2 산화막을 형성하는 단계;
(6) 상기 제1 산화막과 상기 제2 산화막 사이에 전하 포획층을 형성하는 단계;
(7) 상기 소스/드레인 영역에 비소(As+) 이온을 주입하여 도핑하는 단계; 및
(8) 상기 게이트 영역과 상기 전하 포획층을 CMP 공정을 통해 분리하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법
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제1항에 있어서,
(9) 희생 산화막 층(sacrificial oxide layer)을 입혀 실리콘 핀 보디(fin body)의 손상을 보완한 후, 상기 희생 산화막 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판은 실리콘 벌크 기판이고,
상기 제1 산화막은 3
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 산화막은 열 산화(Thermal Oxidation) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (6)은,
상기 제1 산화막과 상기 제2 산화막 사이의 4개의 공간을 poly-silicon, silicon rich nutride, nitride(Si3N4), Hf02, 또는 metal 중의 적어도 하나로 채워 전하 포획층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (7)은,
가파른 소스/드레인 접합을 만들기 위해 경사지게 이온을 주입하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (8)은,
CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통해 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법
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