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하기 단계를 포함하는, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법:
기판에 전극층을 형성하고 상기 전극층에 ZnO 씨드(seed)층을 형성하는 단계;
기준 전극, 상대 전극 및 작업 전극으로 구성되고 일정전위기가 연결된 3전극 시스템이 장착된 고압 반응기에 Zn 전구체를 포함하는 용액을 넣은 후 상기 ZnO 씨드층이 형성된 기판을 상기 작업 전극에 연결하는 단계; 및
상기 고압 반응기를 밀폐시키고 가열하여 일정한 온도 및 압력으로 유지하면서 상기 작업 전극에 전압을 인가하여 ZnO 나노로드를 성장시키는 단계
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제 1 항에 있어서,
상기 기판이 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 금속 기판, 석영, 금속 산화물 기판 또는 금속 질화물 기판인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 ZnO 씨드층이 원자층 증착법, 열증착, 스퍼터링, 또는 스핀 코팅에 의해 형성되는 것인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 ZnO 씨드층의 두께가 1000 nm 이하인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 Zn 전구체가 질산아연, 황산아연, 염화아연, 아세트산아연 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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6
제 1 항에 있어서,
상기 작업 전극에 인가되는 전압은 Ag/AgCl 기준 전극에 대하여 -0
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제 1 항에 있어서,
상기 용액 중 용매는 물을 포함하는 극성 용매인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 Zn 전구체를 포함하는 용액은 약산성인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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9
제 1 항에 있어서,
상기 고압 반응기의 온도가 70℃ 내지 300℃ 범위의 온도로 일정하게 유지되는 것인, 수열-전기화학적 합성에 의한 ZnO 나노로드의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 ZnO 나노로드
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