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기판 상에 선택적 제거가 가능한 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 전도성 금속 산화물 또는 반도체를 포함하는 나노 또는 마이크로 구조체를 형성하는 단계; 상기 희생층을 선택적으로 제거하여 상기 기판으로부터 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 분리시키는 단계; 및분리된 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 소자용 기판에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층은 ZnO 박막, MgO 박막 및 SiO2 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 희생층은 산 또는 염기를 포함하는 용액에 용출시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노 또는 마이크로 구조체는 전도성 금속 산화물 또는 반도체를 포함하는 박막; 및상기 박막 상에 수직 성장된 전도성 금속 산화물 또는 반도체 나노선을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전도성 금속 산화물 또는 반도체는 도핑되거나 도핑되지 않은 인듐 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 카드뮴 산화물, 안티모니 산화물, 니오븀 산화물, 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트 및 카드뮴 술파이드, (La0
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기판 상에 ZnO 박막을 형성하는 단계;상기 ZnO 박막 상에 ITO를 포함하는 나노 또는 마이크로 구조체를 형성하는 단계; 상기 ZnO 박막을 선택적으로 제거하여 상기 기판으로부터 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 분리시키는 단계; 및분리된 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 소자용 기판에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 ZnO 박막은 산 또는 염기를 포함하는 용액에 용출시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 나노 또는 마이크로 구조체는 ITO 박막; 및ITO 박막 상에 수직 성장된 ITO 나노선을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 분리된 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 소자용 기판에 부착하는 단계는 접착제를 이용하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 분리된 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 소자용 기판에 부착하는 단계는 상기 소자용 기판 상에 광경화성 폴리머 또는 열가소성 폴리머를 포함하는 수지를 도포하는 단계;도포된 상기 수지 상에 상기 분리된 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 놓는 단계; 및상기 수지를 경화시켜 상기 나노 또는 마이크로 구조체를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 제조 방법
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