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분자층 증착법

  • 기술번호 : KST2015201449
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 단계를 반복 수행하는 것을 포함하는, 자기조립 다층분자막의 제조 방법을 제공한다:(1) SiO2 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 TiO2 층을 형성하는 단계, (2) 상기 층에 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition)을 이용하여, 계면활성제, 유기규소, 유기황 또는 유기인산 분자를 기상반응시켜 자기조립 단분자막을 표면에 제조하는 단계,(3) 상기 형성된 자기조립 단분자막을 UV/O3 또는 O3를 이용하여 자기조립 단분자막의 알칸사슬의 작용기를 -OH 또는 -COOH로 활성화시키는 단계, 및(4) 상기 활성화된 자기조립 단분자막에 원자층 증착법을 이용하여 TiO2를 증착하는 단계.분자층 증착법, 자기조립 다층분자막, 원자층 증착법
Int. CL C23C 16/00 (2006.01)
CPC C23C 28/30(2013.01) C23C 28/30(2013.01) C23C 28/30(2013.01) C23C 28/30(2013.01) C23C 28/30(2013.01)
출원번호/일자 1020060016780 (2006.02.21)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0084683 (2007.08.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명모 대한민국 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인코리아나 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 **길 **(역삼동, 케이피빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0126267-04
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0154455-82
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0122804-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0086912-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0073891-20
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0283862-85
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0386008-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0482728-32
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0482733-61
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0732160-09
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.11.25 수리 (Accepted) 7-1-2013-0045984-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 단계를 반복 수행하는 것을 포함하는, 자기조립 다층분자막의 제조 방법:(1) SiO2 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 TiO2 층을 형성하는 단계, (2) 상기 층에 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition)을 이용하여, 계면활성제, 유기규소, 유기황 또는 유기인산 분자를 기상반응시켜 자기조립 단분자막을 표면에 제조하는 단계,(3) 상기 형성된 자기조립 단분자막을 UV/O3 또는 O3를 이용하여 자기조립 단분자막의 알칸사슬의 작용기를 -OH 또는 -COOH로 활성화시키는 단계, 및(4) 상기 활성화된 자기조립 단분자막에 원자층 증착법을 이용하여 TiO2를 증착하는 단계
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (2)의 분자는 RSiCl3(식 중, R은 C2-20 알킬임)의 알킬트리할로실란인 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 R이 C5-18 알킬인 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법에 의해 제조된 자기조립 다층분자막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.