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나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint Lithography) 공정에 사용되는 몰드의 표면을 처리하는 방법에 있어서,상기 몰드의 표면을 플라즈마 처리함으로써 상기 몰드의 표면을 소수성으로 개질하는 것을 포함하는, 몰드의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 불소계 가스를 이용하여 수행되는 것인, 몰드의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드의 표면의 물접촉각이 100°이상이 되도록 상기 몰드 표면을 플라즈마 처리하는 것을 포함하는, 몰드의 표면 처리 방법
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제 2 항에 있어서,상기 불소계 가스는 F2, BF3, HF, NF3, CF4, SF6, CH2F2, CHF3, C2F6, C2F8, C3F6, C3F8, C4F6, C4F8, C4F10, C6F10, C5F12, SF5, WF6, SiF4, Si2F6, XeF2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 몰드의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드는 폴리머 재료로 형성된 것인, 몰드의 표면 처리 방법
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나노임프린트 리소그래피 방법에 있어서,나노 패턴이 형성된 투명한 재질의 몰드를 제작하는 단계;상기 몰드의 표면을 플라즈마 처리함으로써, 상기 몰드 표면이 소수성으로 개질되도록 하는 단계;기재(substrate) 위에 레지스트를 코팅하고, 상기 레지스트 위에 상기 몰드를 올려놓는 단계;상기 몰드에 압력을 가하여, 상기 몰드의 상기 나노 패턴 사이에 상기 레지스트를 채우는 단계;상기 투명한 몰드를 통해 상기 레지스트에 자외선을 조사하여 상기 레지스트를 경화시키는 단계; 및상기 레지스트로부터 상기 몰드를 떼어내는 단계:를 포함하는, 나노임프린트 리소그래피 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 불소계 가스를 이용하여 수행되는 것인, 나노임프린트 리소그래피 방법
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제 6 항에 있어서,상기 몰드의 표면을 플라즈마 처리함으로써, 상기 몰드 표면의 물접촉각이 100°이상이 되도록 처리하는 것인, 나노임프린트 리소그래피 방법
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제 7 항에 있어서,상기 불소계 가스는 F2, BF3, HF, NF3, CF4, SF6, CH2F2, CHF3, C2F6, C2F8, C3F6, C3F8, C4F6, C4F8, C4F10, C6F10, C5F12, SF5, WF6, SiF4, Si2F6, XeF2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 나노임프린트 리소그래피 방법
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제 6 항에 있어서,상기 몰드는 폴리머 재료로 형성된 것인, 나노임프린트 리소그래피 방법
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