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산화 알루미늄 나노튜브 주형(template)을 형성하고;원자층 증착법(ALD)에 의하여 상기 산화 알루미늄 나노튜브 주형 표면에 금속산화물 박막을 형성하여 산화 알루미늄 주형/금속산화물 박막 이중구조 나노튜브를 형성하고;상기 산화 알루미늄 주형/금속산화물 박막 이중구조 나노튜브의 제 1 말단에 제 1 전극을 증착하고;상기 산화 알루미늄 주형/금속산화물 박막 이중구조 나노튜브의 제 2 말단의 상기 산화 알루미늄 주형 부분을 일부 제거하여 상기 금속산화물 박막을 일부 노출시키고;상기 금속산화물 박막이 일부 노출된 상기 제 2 말단에 제 2 전극을 증착하고;잔존하는 상기 산화 알루미늄 나노튜브 주형 부분을 제거함으로써 상기 제 1 말단 및 상기 제 2 말단을 가지는 금속산화물 나노튜브를 형성하는 것을 포함하는, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 나노튜브와 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 각각의 계면은 옴 접촉 또는 쇼트키 접촉의 특성을 가지는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화 알루미늄 나노튜브 주형은 양극산화에 의하여 형성되는 것을 포함하는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 박막은, TiO2, ZnO, SnO2, MnO2, MgO, NiO, WO3, Co3O4, Fe2O3, In2O3, ZrO2, V2O5, CaP, CdS, CdSe, CeO2, PbTiO3, RuO, SiC, SiO2, Ta2O5, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속산화물을 포함하는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화 알루미늄 주형의 직경에 따라 상기 금속산화물 나노튜브의 직경이 조절되는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 원자층 증착법에 의하여 상기 산화 알루미늄 주형 표면에 금속산화물 박막을 형성하는 것의 수행 횟수를 조절함으로써 상기 금속산화물 나노튜브의 벽 두께를 조절하는 것을 포함하는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 각각 독립적으로 Pt 또는 Ti/Pt를 포함하는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 말단의 상기 산화 알루미늄 주형 부분을 일부 제거하는 것은 염기성 용액을 처리하여 수행하는 것인, 금속산화물 나노튜브를 이용한 센서의 제조 방법
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