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밴드갭 내 상태밀도(subgap DOS)에 속박되어 있는 전하밀도를 계산하는 단계;게이트 전압의 기 설정된 범위에 따라 채널 내에 존재하는 전하밀도를 주요(dominant) 캐리어 성분으로 근사화하는 단계;상기 근사화된 상기 전하밀도에 기초하여 단위면적당 총 전하를 계산하는 단계; 및상기 밴드갭 내 상태밀도, 상기 계산된 상기 단위면적당 총 전하 및 기 입력된 복수의 파라미터들에 대한 정보에 기초하여 커패시턴스 모델을 생성하는 단계를 포함하고,상기 근사화하는 단계는상기 게이트 전압이 문턱전압 미만인 경우와 이상인 경우 각각에 대하여 상기 채널 내에 존재하는 전하밀도를 상기 주요 캐리어 성분으로 근사화하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법
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제1항에 있어서,상기 밴드갭 내 상태밀도는제1 상태와 제2 상태를 포함하고,상기 채널 내에 존재하는 전하밀도는상기 제1 상태에 속박되어 있는 제1 전자농도, 상기 제2 상태에 속박되어 있는 제2 전자농도 및 전도대(conduction band)에 존재하는 자유전자농도를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법
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제3항에 있어서,상기 근사화하는 단계는상기 게이트 전압이 상기 문턱전압 미만인 경우 전하밀도를 상기 제2 전자농도로 근사화하고, 상기 문턱전압 이상인 경우 전하밀도를 상기 자유전자농도로 근사화하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법
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제1항에 있어서,상기 커패시턴스 모델을 생성하는 단계는상기 밴드갭 내 상태밀도, 상기 단위면적당 총 전하 및 상기 복수의 파라미터들에 대한 정보에 기초하여 게이트 전하 모델, 드레인 전하 모델 및 소스 전하 모델을 생성하는 단계; 및상기 생성된 상기 게이트 전하 모델, 상기 드레인 전하 모델 및 상기 소스 전하 모델을 이용하여 게이트 커패시턴스 모델, 게이트-드레인 커패시턴스 모델 및 게이트-소스 커패시턴스 모델을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법
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제5항에 있어서,상기 게이트 전하 모델, 상기 드레인 전하 모델 및 상기 소스 전하 모델을 생성하는 단계는상기 밴드갭 내 상태밀도, 상기 근사화된 상기 전하밀도 및 상기 복수의 파라미터들에 대한 정보에 기초하여 드레인 전류를 계산하고, 상기 계산된 상기 드레인 전류와 상기 단위면적당 총 전하에 기초하여 상기 게이트 전하 모델, 상기 드레인 전하 모델 및 상기 소스 전하 모델을 생성하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법
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제1항에 있어서,상기 근사화된 상기 전하밀도를 이용하여 채널의 이동도를 계산하는 단계를 더 포함하고,상기 커패시턴스 모델을 생성하는 단계는상기 계산된 상기 채널의 이동도를 더 고려하여 상기 커패시턴스 모델을 생성하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법
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제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체
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복수의 파라미터들에 대한 정보를 입력받는 입력부;게이트 전압의 기 설정된 범위에 따라 채널 내에 존재하는 전하밀도를 주요(dominant) 캐리어 성분으로 근사화하는 근사화부;밴드갭 내 상태밀도(subgap DOS)에 속박되어 있는 전하밀도를 계산하고, 상기 근사화된 상기 전하밀도에 기초하여 단위면적당 총 전하를 계산하는 계산부; 및상기 밴드갭 내 상태밀도, 상기 계산된 상기 단위면적당 총 전하 및 기 입력된 복수의 파라미터들에 대한 정보에 기초하여 커패시턴스 모델을 생성하는 커패시턴스 모델 생성부를 포함하고,상기 근사화부는상기 게이트 전압이 문턱전압 미만인 경우와 이상인 경우 각각에 대하여 상기 채널 내에 존재하는 전하밀도를 상기 주요 캐리어 성분으로 근사화하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 장치
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제9항에 있어서,상기 밴드갭 내 상태밀도는제1 상태와 제2 상태를 포함하고,상기 채널 내에 존재하는 전하밀도는상기 제1 상태에 속박되어 있는 제1 전자농도, 상기 제2 상태에 속박되어 있는 제2 전자농도 및 전도대(conduction band)에 존재하는 자유전자농도를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 장치
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제10항에 있어서,상기 근사화부는상기 게이트 전압이 상기 문턱전압 미만인 경우 전하밀도를 상기 제2 전자농도로 근사화하고, 상기 문턱전압 이상인 경우 전하밀도를 상기 자유전자농도로 근사화하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 장치
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제9항에 있어서,상기 커패시턴스 모델 생성부는상기 밴드갭 내 상태밀도, 상기 단위면적당 총 전하 및 상기 복수의 파라미터들에 대한 정보에 기초하여 게이트 전하 모델, 드레인 전하 모델 및 소스 전하 모델을 생성하고, 상기 생성된 상기 게이트 전하 모델, 상기 드레인 전하 모델 및 상기 소스 전하 모델을 이용하여 게이트 커패시턴스 모델, 게이트-드레인 커패시턴스 모델 및 게이트-소스 커패시턴스 모델을 생성하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 장치
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제9항에 있어서,상기 계산부는상기 근사화된 상기 전하밀도를 이용하여 채널의 이동도를 계산하고,상기 커패시턴스 모델 생성부는상기 계산된 상기 채널의 이동도를 더 고려하여 상기 커패시턴스 모델을 생성하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 장치
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