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비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015201579
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법은 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 단계; 상기 측정된 상기 드레인 전류를 이용하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수(ideality factor)를 계산하는 단계; 상기 계산된 상기 이상계수를 미분하고, 상기 미분된 상기 이상계수에 기초하여 채널 내의 커패시턴스를 획득하는 단계; 및 상기 획득된 상기 채널 내의 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하고, 상기 이상계수를 계산하는 단계는 상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류에 기초하여 상기 이상계수를 계산함으로써, 복잡한 수식 없이 밴드갭 내 상태밀도를 추출할 수 있고, 이상계수를 미분하기 때문에 문턱전압에 독립적이고, 광, 온도 또는 열에 의한 영향이 없는 정확한 밴드갭 내 상태밀도를 추출할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130020316 (2013.02.26)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1378112-0000 (2014.03.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.26)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배민경 대한민국 서울 구로구
2 배학열 대한민국 서울 강북구
3 김대환 대한민국 경기 성남시 분당구
4 김동명 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0170280-06
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0025965-98
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0227160-40
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0828255-64
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096632-13
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0884917-29
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0161833-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0161807-91
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0186677-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 드레인 전류를 이용하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수(ideality factor)를 계산하는 단계;상기 계산된 상기 이상계수를 미분하고, 상기 미분된 상기 이상계수에 기초하여 채널 내의 커패시턴스를 획득하는 단계; 및상기 획득된 상기 채널 내의 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 이상계수를 계산하는 단계는상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류에 기초하여 상기 이상계수를 계산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 이상계수를 계산하는 단계는상기 문턱전압 이하의 상기 드레인 전류에 대한 미리 결정된 모델링 - 상기 미리 결정된 모델링은 상기 문턱 전압 이하의 상기 드레인 전류와 상기 이상 계수 간의 관계를 나타내는 수학적 모델임 - 에 기초하여 상기 이상계수를 계산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 채널 내의 커패시턴스는상기 게이트 전압이 문턱전압 이하인 경우 상기 밴드갭 내 상태밀도에 의해 생성된 커패시턴스인 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계는상기 박막 트랜지스터의 물리적인 구조 파라미터들을 더 고려하여 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 커패시턴스를 측정하는 단계; 및상기 측정된 상기 커패시턴스를 이용하여 상기 게이트 전압에 대한 표면 전위(surface potential)를 매핑하는 단계를 더 포함하고,상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계는상기 매핑된 상기 게이트 전압에 대한 상기 표면 전위를 이용하여 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
7 7
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 드레인 전류를 이용하여 이상계수(ideality factor)를 계산하는 단계;상기 계산된 상기 이상계수를 미분하는 단계; 및상기 미분된 상기 이상계수에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 이상계수를 계산하는 단계는상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류에 기초하여 상기 이상계수를 계산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체
10 10
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 전류 측정부;상기 측정된 상기 드레인 전류를 이용하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수(ideality factor)를 계산하는 연산부;상기 계산된 상기 이상계수를 미분하고, 상기 미분된 상기 이상계수에 기초하여 채널 내의 커패시턴스를 획득하는 획득부; 및상기 획득된 상기 채널 내의 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 추출부를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 연산부는상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류에 기초하여 상기 이상계수를 계산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
12 12
제11항에 있어서,상기 연산부는상기 문턱전압 이하의 상기 드레인 전류에 대한 미리 결정된 모델링 - 상기 미리 결정된 모델링은 상기 문턱 전압 이하의 상기 드레인 전류와 상기 이상 계수 간의 관계를 나타내는 수학적 모델임 - 에 기초하여 상기 이상계수를 계산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
13 13
제10항에 있어서,상기 채널 내의 커패시턴스는상기 게이트 전압이 문턱전압 이하인 경우 상기 밴드갭 내 상태밀도에 의해 생성된 커패시턴스인 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
14 14
제10항에 있어서,상기 추출부는상기 박막 트랜지스터의 물리적인 구조 파라미터들을 더 고려하여 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
15 15
제10항에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 커패시턴스를 측정하는 커패시턴스 측정부; 및상기 측정된 상기 커패시턴스를 이용하여 상기 게이트 전압에 대한 표면 전위(surface potential)를 매핑하는 매핑부를 더 포함하고,상기 추출부는상기 매핑된 상기 게이트 전압에 대한 상기 표면 전위를 이용하여 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
16 16
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 전류 측정부;상기 측정된 상기 드레인 전류를 이용하여 이상계수(ideality factor)를 계산하는 연산부;상기 계산된 상기 이상계수를 미분하는 미분부; 및상기 미분된 상기 이상계수에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 추출부를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
17 17
제16항에 있어서,상기 연산부는상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류에 기초하여 상기 이상계수를 계산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
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1 교육부 국민대학교 산학협력단 교육과학기술부 기초연구사업-중견연구자(핵심연구) 차세대 디스플레이용 산화물 반도체 TFT를 위한 집적화된 Thermo-Opto Electronic 특성 분석 플랫폼 개발 및 응용
2 교육부 국민대학교 산학협력단 교육과학기술부 기초연구사업-중견연구자(도약연구) 투명유연 산화물 반도체소자 모델 및 적층형 회로개발