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비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015201584
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법은 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법에 있어서, 암실에서 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 암실 커패시턴스를 측정하는 단계; 미리 결정된 파장의 광원을 상기 박막 트랜지스터에 조사하여 상기 박막 트랜지스터의 광 반응 커패시턴스를 측정하는 단계; 상기 측정된 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 커패시턴스(intrinsic capacitance)를 연산하는 단계; 및 상기 연산된 상기 진성 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하고, 상기 연산하는 단계는 상기 측정된 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에서 상기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 디임베딩(de-embedding)시켜 상기 진성 커패시턴스를 연산함으로써, 기생 커패시턴스에 독립적인 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130027986 (2013.03.15)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1344752-0000 (2013.12.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최현준 대한민국 서울 성북구
2 배학열 대한민국 서울 강북구
3 김대환 대한민국 경기 성남시 분당구
4 김동명 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0226682-93
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0828232-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0089944-88
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0863537-46
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
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번호 청구항
1 1
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법에 있어서,암실에서 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 암실 커패시턴스를 측정하는 단계;미리 결정된 파장의 광원을 상기 박막 트랜지스터에 조사하여 상기 박막 트랜지스터의 광 반응 커패시턴스를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 커패시턴스(intrinsic capacitance)를 연산하는 단계; 및상기 연산된 상기 진성 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 연산하는 단계는상기 측정된 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에서 상기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 디임베딩(de-embedding)시켜 상기 진성 커패시턴스를 연산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 연산하는 단계는상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스의 최소 커패시턴스(Cmin)와, 액티브 영역과 드레인 전극, 소스 전극의 오버랩(overlap) 영역에 의해 생성된 오버랩 커패시턴스(Cov)의 차이(Cmin-Cov)에 기초하여 상기 기생 커패시턴스를 연산하고, 상기 연산된 상기 기생 커패시턴스를 이용하여 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에서 상기 기생 커패시턴스를 디임베딩하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 광원에 의한 광기전 효과(photovoltaic effect)에 의해 상기 광 반응 커패시턴스에서 쉬프트된 문턱전압을 획득하는 단계를 더 포함하고,상기 연산하는 단계는상기 암실 커패시턴스에 대한 암실 진성 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에 대한 광 반응 진성 커패시턴스를 연산하며,상기 추출하는 단계는상기 연산된 상기 광 반응 진성 커패시턴스를 상기 획득한 상기 문턱전압만큼 쉬프트시키고, 상기 문턱전압만큼 쉬프트된 상기 광 반응 진성 커패시턴스와 상기 암실 진성 커패시턴스를 이용하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
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제1항에 있어서,상기 광 반응 커패시턴스에서 광기전 효과(photovoltaic effect)에 의해 쉬프트된 문턱전압(threshold voltage)을 제거하는 단계를 더 포함하고,상기 연산하는 단계는상기 암실 커패시턴스에 대한 암실 진성 커패시턴스와 상기 쉬프트된 문턱전압이 제거된 상기 광 반응 커패시턴스에 대한 광 반응 진성 커패시턴스를 연산하며,상기 추출하는 단계는상기 연산된 상기 광 반응 진성 커패시턴스와 상기 암실 진성 커패시턴스를 이용하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
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비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치에 있어서,암실에서 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 암실 커패시턴스를 측정하고, 미리 결정된 파장의 광원을 상기 박막 트랜지스터에 조사하여 상기 박막 트랜지스터의 광 반응 커패시턴스를 측정하는 측정부;상기 측정된 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 커패시턴스(intrinsic capacitance)를 연산하는 연산부; 및상기 연산된 상기 진성 커패시턴스에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 추출부를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
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제6항에 있어서,상기 연산부는상기 측정된 상기 암실 커패시턴스와 상기 광 반응 커패시턴스에서 상기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 디임베딩(de-embedding)시켜 상기 진성 커패시턴스를 연산하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
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1 교육부 국민대학교 산학협력단 교육과학기술부 기초연구사업-중견연구자(핵심연구) 차세대 디스플레이용 산화물 반도체 TFT를 위한 집적화된 Thermo-Opto Electronic 특성 분석 플랫폼 개발 및 응용
2 교육부 국민대학교 산학협력단 교육과학기술부 기초연구사업-중견연구자(도약연구) 투명유연 산화물 반도체소자 모델 및 적층형 회로개발