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기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극을 형성하는 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서,상기 활성층은 하기 단계를 포함하는 졸겔(sol-gel)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법:(a) 산화물 전구체 화합물을 포함하는 용액을 준비하는 단계;(b) 상기 용액을 게이트 절연층 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 단계;(c) 상기 코팅층을 건조하는 단계; 및(d) 상기 건조된 코팅층에 대해 150 내지 200℃의 온도 및 진공 분위기로 유지되는 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에서 이루어지는 열처리 및 산소(oxygen) 플라즈마 처리를 동시에 수행하는 단계
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 In2O3, SnO2, ZnO, IZO(Indium Zinc Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), SZO(Tin Zinc oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ISZO(Indium Tin Zinc Oxide) 및 SGZO(Tin Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판, 사파이어 기판 및 질화물 기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 PES(polyethersulfone), PEN(poly (ethylene naphthalate)), PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), PS(poly styrene), PI(poly imide) 및 PE(poly ethylene)으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (b)는 스핀 코팅(spin coating), 드롭 캐스팅(drop casting), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스크린 프린팅(screen printing) 또는 닥터 블레이드(doctor blade)를 이용해 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (d)에서 산소 플라즈마는 RF(radio frequency) 방전 또는 마이크로파(micro wave) 방전에 의해 발생된 저온 산소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
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삭제
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제1항의 제조방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서, 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극이 순차적으로 형성되어 있는 역스태거드(invert staggered) 구조인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서, 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스/드레인 전극 및 활성층이 순차적으로 형성되어 있는 코플래너(coplanar) 구조인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 유연성(flexible) 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제12항에 있어서, 상기 유연성 기판은 PES(polyethersulfone), PEN(poly (ethylene naphthalate)), PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), PS(poly styrene), PI(poly imide) 및 PE(poly ethylene)으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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