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(a) 소수성 고분자용액을 실리콘 웨이퍼에 전기방사하여 고분자 마스크를 제조하는 단계; 및(b) 상기 방사된 실리콘 웨이퍼를 제1 산식각액으로 1차 식각(etching)하여 상기 고분자 마스크 영역 이외의 부분을 식각하는 단계를 포함하며,상기 전기방사는 5 내지 20 KV의 전압 및 0
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제1항에 있어서, 상기 방법은상기 단계 (b)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼의 식각된 영역에 금속입자를 흡착시키고, 제2 산식각액으로 2차 식각하는 단계를 추가로 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항에 있어서, 상기 소수성 고분자용액은 소수성 고분자와 용매를 포함하며,상기 소수성 고분자와 용매의 혼합비율은 1:100 내지 100:1인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제3항에 있어서, 상기 소수성 고분자는 폴리염화비닐(Polyvinyl Chloride), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌 (Polypropylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(Poly methyl methacrylate), 폴리에틸메타아크릴레이트(Poly ethyl methacrylate), 폴리펜타디엔(Polypentadiene), 폴리아미드-6 (Polyamide-6), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌테레프타레이트(polyethyleneterephthalate), 및 폴리스티렌(polystyrene)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제3항에 있어서, 상기 용매는헥산, 벤젠, 사이클로헥산, 디옥산, 에틸아세테이트, 에틸벤젠, 메틸에틸케톤, 나이트로프로판, 포스포러스 트리클로라이드(phosphorus trichloride), 테트라하이드로퓨란, 및 트리부틸포스페이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 함유하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항에 있어서, 상기 전기방사는,50%이하의 습도조건에서 수행되는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 마스크는 소수성 고분자가 와이어 형태로 실리콘 웨이퍼 표면에 증착되는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제7항에 있어서, 상기 고분자 마스크 영역의 표면적은 실리콘 웨이퍼의 표면적 100%을 기준으로 10 내지 90%인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 마스크를 제조하는 단계 전에실리콘 웨이퍼의 세척 공정, 실리콘 웨이퍼의 자연산화막 제거 공정 및 실리콘 웨이퍼의 기계적 손상층 제거 공정으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 공정을 수행하는 것을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제9항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 세척 공정은실리콘 웨이퍼를 과산화수소 및 황산의 혼합물로 처리하여 수행하는 것으로, 상기 과산화수소 및 황산의 혼합비율은 몰비 기준으로 1:1 내지 1:10 인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제9항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 자연산화막 제거 공정은 불산수용액으로 처리하여 수행하는 것으로, 상기 불산 수용액의 몰농도는 1 내지 10 M인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제9항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 기계적 손상층 제거 공정은 실리콘 웨이퍼를 수산화칼륨 수용액에 담근 후 세척하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계 후 (b) 단계 전에 상기 전기방사된 실리콘 웨이퍼를 어닐링하는 단계를 추가로 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제13항에 있어서, 상기 어닐링하는 단계는 열 어닐링 또는 용매 어닐링을 수행하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 산식각액은 불산, 질산, 아세트산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제15항에 있어서, 상기 혼합물의 불산과 질산의 혼합비율은 몰농도를 기준으로 100:1 내지 10:1이며, 질산과 아세트산의 혼합비율은 몰농도를 기준으로 1:1 내지 1:10인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제2항에 있어서, 상기 금속입자의 흡착은 불산 및 금속전구체의 혼합용액에 실리콘 웨이퍼를 담그어 수행하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제17항에 있어서, 상기 금속전구체는 질산은(AgNO3), 염화금산(HAuCl4), 염화은(AgCl), 염화팔라듐(PdCl2), 염화루테늄(RuCl3) 및 염화로듐(RhCl3)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제2항에 있어서, 상기 제2 산식각액은 불산, 과산화수소 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제19항에 있어서, 상기 혼합물의 불산 및 과산화수소의 혼합비율은 몰농도를 기준으로 1:10 내지 1:500인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
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제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법에 의해 텍스쳐링되며,표면에 0
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제21항에 있어서, 상기 와이어 형태 부분은 실리콘 웨이퍼의 표면적 100%를 기준으로 10 내지 90%인 실리콘 웨이퍼
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제21항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 반사율은 400 내지 1000nm에서 10 내지 20%인 실리콘 웨이퍼
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