| 1 |
1
(a) 소수성 고분자와 친수성 고분자를 함유하는 고분자블랜드 또는 소수성 블록과 친수성 블록을 갖는 블록공중합체를 함유하는 고분자 코팅용액을, 실리콘 웨이퍼 위에 코팅하여, 친수성 영역과 소수성 영역을 포함하는 고분자 마스크를 제조하는 단계;(b) 상기 고분자 마스크가 제조된 실리콘 웨이퍼를 제1 산식각액으로 1차 식각(etching)하여 상기 고분자 마스크의 친수성 영역을 식각하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링(texturing) 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 방법은 상기 단계 (b)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼의 식각된 영역에, 금속입자를 흡착시키고, 제2 산식각액으로 2차 식각하는 단계를 추가로 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 고분자 마스크를 제조하는 단계 전에, 실리콘 웨이퍼의 세척 공정 및 실리콘 웨이퍼의 자연산화막 제거 공정으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 공정을 추가로 수행하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계 후 및 (b) 단계 전에, 상기 코팅된 실리콘 웨이퍼를 어닐링하는 단계를 추가로 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 마스크의 두께는 10 내지 10,000 nm인, 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 코팅용액은 친수성 실리카 화합물을 추가로 함유하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 고분자 블랜드 또는 블록공중합체과 실리카 화합물의 혼합 중량비는 1:10 내지 10:1인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 코팅용액의 고형분 농도는 0
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 고분자블랜드를 포함하는 고분자 코팅용액은 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 벤젠, 브로모벤젠, 디클로로메탄, 톨루엔, 아세토나이트릴, 사이클로헥사논, 사이클로헥산, 디옥산, 에틸벤젠, 메틸에틸케톤 및 디메틸아세트아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 블록공중합체를 포함하는 고분자 코팅용액은사이클로헥산(cyclohexane), 디옥산(dioxane), 헥산(hexane), 옥탄(octane), 에탄올(ethanol), 글리세롤(glycerol), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 및 트리아세틴(triacetin)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 코팅용액에 포함된 고분자 블랜드의 소수성 고분자와 친수성 고분자의 혼합 중량비는 9:1 내지 1:9인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 블랜드의 소수성 고분자는 폴리염화비닐(polyvinyl chloride), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌 (polypropylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(poly methyl methacrylate), 폴리에틸메타아크릴레이트(poly ethyl methacrylate), 폴리펜타디엔(polypentadiene), 폴리아미드-6 (polyamide-6), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 및 폴리스티렌(polystyrene)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서, 상기 고분자블랜드 용액의 친수성 고분자는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리락트산, 폴리-4-비닐피리딘, 폴리비닐에스테르, 폴리비닐에테르, 폴리비닐케톤, 폴리비닐피리딘, 폴리비닐피롤리돈, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌 및 폴리 에틸렌-프로필렌-디엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 친수성 고분자인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서, 상기 블록공중합체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3을 갖는 화합물인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법:[화학식 1]A1-B1[화학식 2]A2-B1-A3[화학식 3]B2-A1-B3상기 화학식 1 내지 3에서, A1, A2 및 A3는 친수성 블록으로서, 각각 독립적으로 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌이민, 폴리아크릴릭엑시드, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴아미드, 폴리아이소프로필아크릴아미드 및 폴리메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것이며,B1, B2 및 B3는 소수성 블록으로서, 각각 독립적으로 폴리프로필레글리콜, 폴리스티렌, 폴리아크릴릭 산, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리비닐에테르, 폴리비닐에스테르, 폴리비닐 케톤, 폴리비닐 피리딘 및 폴리비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서, 상기 블록공중합체의 분자량은 500 내지 10,000,000인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 16 |
16
제 1 항에 있어서, 상기 제1 산식각액은 불산, 질산, 아세트산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 산을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서, 상기 혼합물의 불산과 질산의 혼합비율은 몰농도를 기준으로 100:1 내지 10:1이며, 질산과 아세트산의 혼합비율은 몰농도를 기준으로 1:1 내지 1:10인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 18 |
18
제 2 항에 있어서, 상기 금속입자의 흡착은 불산 및 금속전구체의 혼합용액에 실리콘 웨이퍼를 담그어 수행하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 19 |
19
제18항에 있어서, 상기 금속전구체는 질산은(AgNO3), 염화금산(HAuCl4), 염화은(AgCl), 염화팔라듐(PdCl2), 염화루테늄(RuCl3) 및 염화로듐(RhCl3)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 20 |
20
제 2 항에 있어서, 상기 제2 산식각액은 불산, 과산화수소 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 21 |
21
제 20 항에 있어서, 상기 혼합물의 불산 및 과산화수소의 혼합비율은 몰농도를 기준으로 1:10 내지 1:500인 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 22 |
22
제 3 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 세척 공정은, 실리콘 웨이퍼를 과산화수소 및 황산의 혼합물로 처리하여 수행하는 것으로, 상기 과산화수소 및 황산의 혼합비율은 몰비 기준으로 1:1 내지 1:10인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 23 |
23
제 22 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 자연산화막 제거 공정은, 몰농도 1 내지 10 M인 불산수용액으로 수행하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 24 |
24
제 4 항에 있어서, 상기 어닐링하는 단계는 열 어닐링 또는 용매 어닐링을 수행하는 것인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
|
| 25 |
25
제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법에 의해 표면처리되며, 표면에 0
|
| 26 |
26
제 25 항에 있어서, 상기 요철구조의 표면에 0
|
| 27 |
27
제25항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼의 반사율은 400 내지 1000nm에서 1 내지 35%인 실리콘 웨이퍼
|
