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커플링 계수를 이용한 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위와 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법, 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015201615
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 커플링 계수를 이용한 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위와 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법, 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법은 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 단계; 상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류를 추출하는 단계; 및 상기 추출된 상기 드레인 전류의 미분에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 상기 표면 전위를 추출하는 단계를 포함하고, 상기 표면 전위를 추출하는 단계는 상기 추출된 상기 드레인 전류 및 상기 표면 전위에 포함된 커플링 계수(coupling factor)를 더 고려하여 상기 게이트 전압에 따른 상기 표면 전위를 추출할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130135421 (2013.11.08)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1427714-0000 (2014.08.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대환 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김동명 대한민국 서울 강남구
3 전성우 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1019019-76
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1087231-77
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1087242-79
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0022190-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0300744-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0614293-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0614346-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0493717-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
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번호 청구항
1 1
비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류를 추출하는 단계; 및상기 추출된 상기 드레인 전류의 미분에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 상기 표면 전위를 추출하는 단계를 포함하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 표면 전위를 추출하는 단계는상기 추출된 상기 드레인 전류 및 상기 표면 전위에 포함된 커플링 계수(coupling factor)를 더 고려하여 상기 게이트 전압에 따른 상기 표면 전위를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 추출된 상기 드레인 전류를 이용하여 상기 게이트 전압에 따른 커플링 계수를 계산하는 단계;상기 계산된 상기 커플링 계수를 미분하고, 상기 미분된 상기 커플링 계수에 기초하여 채널 내의 커패시턴스를 획득하는 단계; 및상기 획득된 상기 채널 내의 커패시턴스와 상기 추출된 상기 표면 전위에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 채널 내의 커패시턴스는상기 문턱전압 이하의 상기 게이트 전압에서 상기 밴드갭 내 상태밀도에 의해 생성된 커패시턴스인 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 방법
5 5
비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 장치에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 측정하는 측정부;상기 측정된 상기 드레인 전류 중 문턱전압(threshold voltage) 이하의 드레인 전류를 추출하는 전류 추출부; 및상기 추출된 상기 드레인 전류의 미분에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 상기 표면 전위를 추출하는 표면 전위 추출부를 포함하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 표면 전위 추출부는상기 추출된 상기 드레인 전류 및 상기 표면 전위에 포함된 커플링 계수(coupling factor)를 더 고려하여 상기 게이트 전압에 따른 상기 표면 전위를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 추출된 상기 드레인 전류를 이용하여 상기 게이트 전압에 따른 커플링 계수를 계산하는 커플링 계수 계산부;상기 계산된 상기 커플링 계수를 미분하고, 상기 미분된 상기 커플링 계수에 기초하여 채널 내의 커패시턴스를 획득하는 획득부; 및상기 획득된 상기 채널 내의 커패시턴스와 상기 추출된 상기 표면 전위에 기초하여 상기 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 상태밀도 추출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 박막 트랜지스터의 표면 전위 추출 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 국민대학교산학협력단 도약연구지원사업 투명 유연 산화물 반도체 소자 모델 및 적층형 회로 개발(5 차년도/총 5 차년도)
2 교육부 국민대학교산학협력단 핵심연구지원사업 융합된 특성분석 플랫폼 구현과 차세대 디스플레이 및 센서용 고신뢰성 TFT 개발 연구(1/3)