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(a) 기판 일면의 측단에 노치(notch) 형상을 가지는 하나 이상의 오목부를 형성시키는 단계;(b) 상기 오목부가 형성된 기판의 일면에 절연층을 형성시켜, 기판과 절연층 사이에 발생하는 잔류 응력(residual stress)이 오목부의 첨단에 집중되어 개시되는 크랙이 전파됨으로써, 기판의 일면을 가로지르며 오목부 및 절연층의 전체 두께에 해당되는 깊이를 가지는 나노갭(nano gap)을 발생시키는 단계;(c) 상기 절연층 상에 상기 나노갭을 가로지르는 하나 이상의 센싱 패턴을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 센싱 패턴의 양단에 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 나노갭 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노갭 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (a)에서 상기 오목부는 건식 식각(dry etching)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노갭 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서 상기 절연층은 질화규소(Si3N4)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노갭 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노갭의 폭(width)은 20 내지 70 nm인 것을 특징으로 하는 나노갭 센서의 제조방법
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(a) 기판 일면의 측단에 노치(notch) 형상을 가지는 하나 이상의 오목부를 형성시키는 단계;(b) 상기 오목부가 형성된 기판의 일면에 절연층을 형성시켜, 기판과 절연층 사이에 발생하는 잔류 응력(residual stress)이 오목부의 첨단에 집중되어 개시되는 크랙이 전파됨으로써, 기판의 일면을 가로지르며 오목부 및 절연층의 전체 두께에 해당되는 깊이를 가지는 나노갭(nano gap)을 발생시키는 단계;(c) 상기 절연층 상에 상기 나노갭을 가로지르며, 팔라듐(Pd) 또는 팔라듐 합금으로 이루어지는 하나 이상의 센싱 패턴을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 센싱 패턴의 양단에 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 나노갭 수소 센서의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 팔라듐 합금은 Pd-Ni, Pd-Pt, Pd-Ag, Pd- Ti, Pd-Fe, Pd-Zn, Pd-Co, Pd-Mn, Pd-Au 및 Pd-W으로 이루어지는 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 나노갭 수소 센서의 제조방법
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제1항 내지 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 나노갭 센서
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제7항 또한 제8항에 기재된 방법에 의해 제조된 나노갭 수소 센서
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