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오염수 내 중금속을 고감도로 감지할 수 있는 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법 및 이를 이용한 휴대용 수질 검사 장치

  • 기술번호 : KST2015201648
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법에 따르면, MEMS(micro electro mechanical system) 공정을 이용하여 실리콘 웨이퍼 기판에 압전 저항층, 작업 전극과 상대 전극을 포함하는 제1 전극층 및 기준 전극을 포함하는 제2 전극층을 형성시켜, 중금속 존재시 압전 저항층의 저항 변화를 마이크로브릿지(microbridge)가 감지하여 수질 내 중금속을 기계화학적으로 측정할 수 있고, 또한, 중금속 존재시 상대 전극 및 작업 전극 사이에 발생하는 전류변화를 감지하여 수질 내 중금속을 전기화학적으로 측정할 수 있어 고감도 및 고선택성을 가지는 초소형의 수질 센서 칩을 제조할 수 있다.또한, 본 발명에 따른 휴대용 수질 검사 장치에 따르면, 상기한 하이브리드 수질 센서 칩을 포함하는 중금속 센서부를 포함하여, 다양한 종류의 중금속을 필요에 따라 바꿔 가며 측정할 수 있으며, 외부에 별도로 설치된 디스플레이 장치와 연결될 수 있는 외부 출력수단을 포함하도록 구성하여 측정한 중금속 데이터를 모바일 또는 무선통신가능한 신호 송신장치 및 수신 디스플레이 장치를 이용해 용이하게 영상화하여 수질 내에 포함된 중금속의 농도 및 종류를 장소에 구애받지 않고 신속하고 정확하게 검출할 수 있다.
Int. CL G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) G01N 27/06 (2006.01) G01N 33/18 (2006.01)
CPC G01N 27/00(2013.01) G01N 27/00(2013.01) G01N 27/00(2013.01) G01N 27/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140168574 (2014.11.28)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1525526-0000 (2015.05.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임시형 대한민국 서울특별시 서초구
2 김정호 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 서울시 송파구 올림픽로 ***(방이동) *층(이수국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1159119-17
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0051212-78
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination
2015.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0154355-25
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0014639-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0205872-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0343088-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0343087-72
9 등록결정서
Decision to grant
2015.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0356026-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 실리콘 산화물층(buried oxide layer)을 포함하는 실리콘 웨이퍼 기판의 상측 일면에 복수 개의 압전 저항층(piezoresistor layer)을 형성시키는 단계;(b) 상기 단계 (a)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판에 상기 압전 저항층의 일부를 노출시키고 질화실리콘 패시배이션층(Si3N4 passivation layer)을 형성시키는 단계;(c) 상기 단계 (b)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판의 상기 압전 저항층이 노출된 부위를 중도핑(heavily doped)하여 상기 압전 저항층에 중도핑 영역을 형성시키는 단계;(d) 상기 단계 (c)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판상에 복수 개의 제1 전극층을 형성시키는 단계;(e) 상기 단계 (d)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판의 상기 제1 전극층 상부 및 상기 압전 저항층 일부 영역에 이산화규소 절연체층(SiO2 insulator layer)을 형성시키는 단계;(f) 상기 단계 (e)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판의 상기 제1 전극층 상에 제2 전극층을 형성시키는 단계; (g) 상기 단계 (f)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판에 포토리소그래피(photolithography)방법으로 실리콘층을 패터닝하는 단계;(h) 상기 단계 (g)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판의 상기 압전 저항층, 제1 전극층 및 제2 전극층의 일부를 마이크로브릿지(microbridge) 형상으로 노출시키고, 실리콘 웨이퍼 기판에 홈을 형성시킬 수 있도록 후면층을 식각(backside etching)하는 단계; 및(i) 상기 단계 (h)에서 얻어진 실리콘 웨이퍼 기판의 상기 실리콘 산화물층(buried oxide layer)을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 압전 저항층은 보론(Boron, B)을 이온 도핑(Ion doping) 방법으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 질화실리콘 패시배이션층은 질화실리콘을 저압 화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD) 방법으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 전극층은 전자빔 증착(E-beam evaporation) 방법으로 금(gold, Au)를 증착하여 형성시킨 것을 특징으로 하는 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 전극층은 은(Ag) 전극인 것을 특징으로 하는 하이브리드 수질 센서 칩 제조방법
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제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 수질 센서칩을 포함하여 이루어지는 중금속 센서부;상기 중금속 센서부의 전류 변화 및 전위차를 검출할 수 있는 검출부;중금속을 포함하는 액체를 상기 수질 센서 칩에 공급하였을 때, 상기 검출부에서 검출된 상기 전위차 및 전류 변화를 가공하여 데이터로 출력하는 제어부;상기 검출부 및 제어부에 전원을 인가하는 전원부; 및상기 중금속 센서부, 상기 검출부, 상기 제어부 및 상기 전원부를 내장하는 휴대용 케이스;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 휴대용 수질 검사 장치
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제 6항에 있어서,상기 제어부는 상기 검출부에서 검출된 상기 중금속 센서부의 마이크로브릿지에 형성된 압전 저항의 저항 변화에 의한 전극의 전위차를 데이터로 출력하는 것을 특징으로 하는 휴대용 수질 검사 장치
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제 6항에 있어서,상기 제어부는 상기 검출부에서 검출된 상기 중금속 센서부의 작업 전극과 상대 전극 사이의 전류 변화를 데이터로 출력하는 것을 특징으로 하는 휴대용 수질 검사 장치
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제 6항에 있어서,상기 수질 검사 장치는 상기 제어부의 데이터를 영상화할 수 있고 외부에 별도로 설치된 디스플레이 장치에 표시하기 위해 상기 휴대용 케이스의 일측에 설치되는 외부 출력수단을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 휴대용 수질 검사 장치
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제 9항에 있어서,상기 디스플레이 장치는 상기 외부 출력수단에 체결되어 상기 수질 검사 장치로부터 수신된 상기 제어부의 데이터를 무선 신호로 송출할 수 있는 신호 송신장치 및 상기 신호 송신장치로부터 수신된 무선 신호를 감지하여 영상화할 수 있는 수신 모니터링 장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 휴대용 수질 검사 장치
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제 9항에 있어서,상기 디스플레이 장치는 상기 외부 출력수단에 체결되어 상기 제어부의 데이터를 감지하여 영상화할 수 있는 응용프로그램을 구비한 휴대용 단말기인 것을 특징으로 하는 휴대용 수질 검사 장치
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국민대학교 글로벌프런티어사업 휴대용 수질검사 단말기 개발