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기판상에 나노스피어 박막을 적층한 후, O2 애싱하는 단계를 포함하는 공정에 의하여 상기 나노스피어 박막의 나노스피어 입경을 조절하는 단계;
원자층 증착 (Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 상기 나노스피어 박막과 기판상에 제 1마스크층을 동시에 증착하는 단계;
상기 나노스피어 박막을 제거하여 나노스피어 형상의 기판을 외부로 노출시키는 단계; 및
상기 나노스피어 형상으로 외부로 노출된 기판을 식각시키는 단계를 포함하는 2차원 광결정의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 기저기판; 상기 기저기판상에 적층된 형광층; 상기 형광층상에 적층된 광결정층 및 상기 광결정층상에 적층된 제 2마스크층을 포함하는 2차원 광결정의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 식각공정은 상기 제 2마스크층 및 상기 광결정층을 식각하여, 상기 광결정층이 적층된 형광층을 선택적으로 노출시키는 것을 포함하는 2차원 광결정의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 형광층의 적층은 상기 형광층을 이루는 형광체를 졸 상태로 상기 기저기판 상에 도포시키는 단계; 및 상기 도포된 졸 상태의 형광체를 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 공정에 의하여 수행되는 2차원 광결정의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 광결정층의 적층은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)방법으로 증착되는 것을 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 기저 기판은 유리, 사파이어, 및 석영 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 형광층은 유기 또는 무기 형광체를 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 형광층은 Y2O3:Eu을 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 광결정층은 SiO2 또는 SiNx를 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 2마스크층은 크롬을 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노스피어 박막은 폴리스티렌 또는 SiO2을 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노스피어 박막에 사용되는 나노스피어 입경은 150 내지 2000nm인 2차원 광결정의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 원자층 증착에 의한 제 1마스크층은 0
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제 1항에 있어서, 상기 원자층 증착에 의한 제 1 마스크층은 금속 또는 산화물을 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노스피어 박막의 제거 단계는 상기 나노스피어 박막을 클로로포름 용액 속에서 초음파 처리하여 제거하는 단계를 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 4항에 있어서, 상기 제 2마스크층을 식각하는 단계는 상기 제 2마스크층을 건식 식각하는 단계를 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 4항에 있어서, 상기 제 2마스크 하층의 광결정층을 식각하는 단계는 상기 광결정층을 건식 식각하는 단계를 포함하는 2차원 광결정의 제조 방법
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제 1항, 제 3항 내지 제 13항, 및 제 15항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 의해 제조된 2차원 광결정을 포함하는 발광 소자
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