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게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막, 반도체 층 및 오믹 접촉층을 증착하는 단계와;
상기 오믹 접촉층 위에 형성되어 있는 자연 산화막을 제거하는 단계와;
구리를 포함하는 금속을 이용하여 상기 오믹 접촉층 위에 산화막을 증착하는 단계와;
상기 구리를 포함하는 금속을 이용하여 상기 산화막 위에 소스-드레인 층을 증착하는 단계와;
상기 소스-드레인 층을 패턴하여, 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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2
제 1항에 있어서,
상기 자연 산화막을 제거하는 단계는 HF 가스 클리닝, 표면 에칭 및 플라즈마 처리 중 어느 한 방법으로 자연 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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3
제 1항에 있어서,
상기 산화막을 형성하는 단계는 O2 가스 분위기에서 상기 구리를 타겟으로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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4
제 1항에 있어서,
상기 산화막을 형성하는 단계는 산소(O2)와 불활성 기체를 포함하는 혼합 가스 분위기에서 상기 구리를 타겟으로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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5
제 1항에 있어서,
상기 소스-드레인 층을 형성하는 단계는 불활성 기체 분위기에서 상기 구리를 타겟으로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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6
제 1항에 있어서,
상기 구리를 포함하는 금속은 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바라듐(V), 니비듐(Nb), 탄탈(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 티타늄(Ti) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 한 물질과 구리의 합금인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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7
제 1항에 있어서,
상기 산화막 및 소스-드레인 층을 증착하는 단계는 스퍼터링, evaporation, pulsed layer deposition(PLD), 및 화학기상증착(CVD) 중 어느 한 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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8
제 1항에 있어서,
상기 반도체 층은 실리콘 베이스 반도체 물질, 알루미늄-아연 산화 반도체 물질 및 인듐-갈륨-아연 산화반도체 물질 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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9
게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막과;
상기 게이트 절연막 위의 상기 게이트 전극과 중첩되는 위치에 형성된 반도체 층과;
상기 반도체층 위에서 양측으로 나뉘어 형성되고, 표면에 자연 산화막이 완전히 제거된 두 개의 오믹 접촉층과;
상기 두 개의 오믹 접촉층 위에 형성된 구리 산화막과;
상기 금속 산화막 위에 형성된 구리를 포함하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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10
제 9항에 있어서,
상기 구리 산화막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바라듐(V), 니비듐(Nb), 탄탈(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 티타늄(Ti) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 한 물질과 구리의 합금인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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11
제 9항에 있어서,
상기 반도체 층은 실리콘 베이스 반도체 물질, 알루미늄-아연 산화 반도체 물질 및 인듐-갈륨-아연 산화반도체 물질 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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