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기판에 자외선 차단 재료를 이용하여 제 1 패턴을 형성하고;상기 제 1 패턴이 형성된 상기 기판 상에 몰드용 레진을 도포하고;제 2 패턴이 형성된 마스터 몰드를 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 간에 공유면이 존재하도록 상기 몰드용 레진이 도포된 기판에 가압하여 패턴을 임프린트하고;상기 몰드용 레진을 경화시키고; 및,상기 마스터 몰드를 상기 기판에서 분리하는 것:을 포함하는, 나노 임프린트팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 UV가 투과가 가능한 고분자(polymer), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 자외선 차단 재료는 Cr, W, Co, Mo, Au, Pt, Pd, Ag, Cu, Al, Ir, Rh, Te, Bi, Pb, Fe, Ce, Nb, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Zn, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 자외선 차단 재료는 물리기상증착(physical vapor deposition PVD), 플라즈마강화화학증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 금속유기 화학기상증착(metal organic CVD; MOCVD) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법으로 형성되는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 마스터 몰드는 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드용 레진을 도포하는 것은, 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드용 레진은 UV에 의해 경화되는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 몰드
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기판에 패턴형성용 레지스트를 도포하고;상기 기판과 제 8 항에 따른 상기 몰드를 정렬하고;상기 몰드를 가압하여 상기 패턴형성용 레지스트에 미세패턴을 임프린팅하고;상기 패턴형성용 레지스트를 경화시키고; 및,상기 몰드를 상기 기판에서 분리하는 것:을 포함하는, 미세패턴 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 기판은 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 금속(metal), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 미세패턴 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 고분자 기판은 폴리-디메틸실록산(poly-dimethylsiloxane; PDMS), 폴리-메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스티렌(polystyrene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 미세패턴 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 패턴형성용 레지스트를 도포하는 것은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것인, 미세패턴 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 패턴형성용 레지스트는 UV에 의해 경화되는 레지스트를 포함하는 것인, 미세패턴 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 패턴형성용 레지스트는 포지티브 포토레지스트(positive photoresist), 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 광경화용 레진을 사용하는 것인, 미세패턴 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 미세 패턴은 다단 미세 패턴의 형태로 형성되는 것인, 미세패턴 형성 방법
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