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기판에 패턴형성용 레지스트를 도포하고;일면에 제 1 패턴이 형성된 마스터 몰드를 상기 패턴형성용 레지스트의 상부에 접촉시키고; 상기 마스터 몰드를 가압하여 임프린트하고;일면에 상기 제 1 패턴과 상이한 제 2 패턴이 형성된 포토 마스크를 통해서 상기 마스터 몰드 상에 UV를 조사하고; 및상기 마스터 몰드 및 상기 포토 마스크를 상기 기판에서 분리하여 패턴형성용 레지스트를 현상하는 것:을 포함하며, 상기 포토 마스크는 상기 임프린트의 전 또는 후에 상기 마스터 몰드에 접촉되는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴은 상이한 것이되, 상기 마스터 몰드와 상기 포토 마스크의 접촉 시 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 간에는 공유면이 존재하도록 접촉되는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴형성용 레지스트를 도포하는 것은, 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴형성용 레지스트는 UV에 의해 경화되는 레지스트를 사용하는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴형성용 레지스트는 포지티브 포토레지스트(positive photoresist), 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 광경화용 레진를 포함하는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 광경화용 레진은 휘발성 용제를 포함하는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 휘발성 용제는 비점(끓는점)이 200℃ 미만인 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 마스터 몰드는 UV 투과가 가능한 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 고분자 마스터 몰드는 폴리-디메틸실록산(poly-dimethylsiloxane; PDMS), 폴리-메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스티렌(polystyrene), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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10
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴은 다단 미세 패턴의 형태로 형성되는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴은 격자무늬 패턴의 형태로 형성되는 것인, 나노 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 미세 패턴
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