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하기 단계를 포함하는, 염료감응형 태양전지의 제조 방법:
기판 상에 투명 전도층을 형성하는 단계;
반도체 나노튜브 제조를 위한 다공성 주형을 상기 투명 전도층 상에 형성하는 단계;
상기 다공성 주형의 기공 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 반도체 층을 증착함으로써 반도체 나노튜브를 형성하는 단계;
상기 다공성 주형을 제거하여 상기 반도체 나노튜브의 어레이(array)를 형성하는 단계;
상기 반도체 나노튜브 어레이에 염료를 흡착시켜 염료층을 형성하는 단계; 및
상기 염료층이 형성된 반도체 나노튜브 어레이를 포함하여 형성되는 광전극을 상대 전극과 대향되게 배치하고, 상기 두 전극 사이에 전해질 용액을 주입하여 봉입하는 단계
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제 1 항에 있어서,
상기 다공성 주형을 제거하는 단계는 상기 주형을 크롬 트리옥사이드(chromic trioxide)와 인산을 포함하는 혼합 용액에 침적시켜 용해시키는 것인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 다공성 주형은 양극 산화된 다공성 알루미늄 산화물 (anodic aluminum oxide, AAO) 주형 또는 다공성 폴리카보네이트(PC) 주형인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 반도체 나노튜브는 산화물 반도체를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,
상기 산화물 반도체는 TiO2, Ga2O3, HfO2, In2O3, ZnO, Sn0 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,
상기 산화물 반도체는 TiO2를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 광전극에 포함되는 상기 반도체 나노튜브 어레이는 상기 원자층 증착법에 의하여 형성됨으로써 상기 반도체 나노튜브의 직경, 벽 두께, 길이 또는 간격이 조절되는 것인, 염료감응형 태양전지의 제조 방법
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염료층이 형성된 광전극과, 상기 광전극에 대향되게 배치되는 상대 전극과, 상기 두 전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의해 상기 염료층에 전자를 공급해주는 전해질 용액을 포함하여 구성되는 염료감응형 태양전지에 있어서,
상기 광전극은 기판, 상기 기판 상에 형성된 투명전도층, 및 상기 투명전도층 상에 형성된 반도체 나노튜브 어레이를 포함하며, 상기 반도체 나노튜브 어레이는 다공성 주형을 이용하여 원자층 증착법에 의하여 형성되는 것인, 염료감응형 태양전지
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