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광 미분 이상계수를 이용한 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015201759
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 미분 이상계수를 이용한 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법은 암실에서 게이트 전압에 따른 암실 드레인 전류를 측정하고, 미리 결정된 광원의 광을 조사하여 상기 게이트 전압에 따른 광 반응 드레인 전류를 측정하는 단계; 상기 암실 드레인 전류와 광 반응 드레인 전류를 이용하여 암실 이상계수와 광 반응 이상계수를 계산하는 단계; 및 상기 계산된 상기 암실 이상계수와 상기 광 반응 이상계수의 미분에 기초하여 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하고, 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계는 자유 전자에 의해 형성되는 커패시턴스를 디임베딩시켜 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130040220 (2013.04.12)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1368972-0000 (2014.02.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황준석 대한민국 서울 강동구
2 안제엽 대한민국 경기 구리시
3 서효준 대한민국 인천 서구
4 배학열 대한민국 서울 강북구
5 김대환 대한민국 경기 성남시 분당구
6 김동명 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0318147-68
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0828321-80
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0754062-37
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1212509-64
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0001187-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0001179-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0121151-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법에 있어서,암실에서 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류인 암실 드레인 전류를 측정하고, 미리 결정된 광원의 광을 조사하여 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 드레인 전류인 광 반응 드레인 전류를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 게이트 전압에 따른 상기 암실 드레인 전류와 이상계수(ideality factor)를 포함하는 상기 게이트 전압에 따른 상기 암실 드레인 전류의 미리 결정된 수학적 모델을 비교하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수인 암실 이상계수를 계산하고, 상기 측정된 상기 게이트 전압에 따른 상기 광 반응 드레인 전류와 이상계수를 포함하는 상기 게이트 전압에 따른 상기 광 반응 드레인 전류의 미리 결정된 수학적 모델을 비교하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수인 광 반응 이상계수를 계산하는 단계; 및상기 계산된 상기 암실 이상계수와 상기 광 반응 이상계수의 미분에 기초하여 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계는상기 광 반응 이상계수와 상기 암실 이상계수의 차이에 대한 미분에 기초하여 상기 광의 조사에 의한 광 반응에 의해 상기 밴드갭 내 상태밀도에서 형성되는 광 반응 커패시턴스를 계산하고, 상기 계산된 상기 광 반응 커패시턴스에 기초하여 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 암실 이상계수와 상기 광 반응 이상계수는상기 밴드갭 내 상태밀도에서 형성되는 커패시턴스와 자유 전자에 의해 형성되는 커패시턴스를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 단계는자유 전자에 의해 형성되는 커패시턴스를 디임베딩시킨 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 진성 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법
5 5
비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치에 있어서,암실에서 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류인 암실 드레인 전류를 측정하고, 미리 결정된 광원의 광을 조사하여 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전압에 따른 드레인 전류인 광 반응 드레인 전류를 측정하는 측정부;상기 측정된 상기 게이트 전압에 따른 상기 암실 드레인 전류와 이상계수(ideality factor)를 포함하는 상기 게이트 전압에 따른 상기 암실 드레인 전류의 미리 결정된 수학적 모델을 비교하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수인 암실 이상계수를 계산하고, 상기 측정된 상기 게이트 전압에 따른 상기 광 반응 드레인 전류와, 이상계수를 포함하는 상기 게이트 전압에 따른 상기 광 반응 드레인 전류의 미리 결정된 수학적 모델을 비교하여 상기 게이트 전압에 따른 이상계수인 광 반응 이상계수를 계산하는 연산부; 및상기 계산된 상기 암실 이상계수와 상기 광 반응 이상계수의 미분에 기초하여 상기 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 추출부를 포함하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 추출부는상기 광 반응 이상계수와 상기 암실 이상계수의 차이에 대한 미분에 기초하여 상기 광의 조사에 의한 광 반응에 의해 상기 밴드갭 내 상태밀도에서 형성되는 광 반응 커패시턴스를 계산하고, 상기 계산된 상기 광 반응 커패시턴스에 기초하여 상기 밴드갭 내 상태밀도를 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 국민대학교 산학협력단 교육과학기술부 기초연구사업-중견연구자(핵심연구) 차세대 디스플레이용 산화물 반도체 TFT를 위한 집적화된 Thermo-Opto Electronic 특성 분석 플랫폼 개발 및 응용
2 교육부 국민대학교 산학협력단 교육과학기술부 기초연구사업-중견연구자(도약연구) 투명유연 산화물 반도체소자 모델 및 적층형 회로개발