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의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법

  • 기술번호 : KST2015201762
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 i)도판트와 산화제 존재하에 고분자 나노구를 주형으로 하여 그 표면상에서 전도성 고분자의 단량체를 중합하여 전도성 고분자를 형성하는 단계 및; ii)유기용매를 이용하여 상기 고분자 나노구를 제거하는 단계를 포함한 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법에 의하면 전도성 고분자를 중공 형태로 제조하여 표면적을 극대화하며 다층구조로 적층이 가능하여 정전용량을 높일 수 있으면서도 대량생산이 가능한 전도성 고분자 중공 나노구를 얻을 수 있어 이를 의사-커패시터에 쉽게 이용할 수 있다.
Int. CL H01G 11/48 (2013.01)
CPC H01G 11/48(2013.01) H01G 11/48(2013.01) H01G 11/48(2013.01)
출원번호/일자 1020130052290 (2013.05.09)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1426493-0000 (2014.07.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상규 대한민국 서울 서초구
2 류일환 대한민국 서울특별시 마포구
3 권혜민 대한민국 경기도 광명시 하안로 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0409538-18
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0056372-49
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.05.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0451457-48
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0458132-23
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0057752-64
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0598927-53
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0076302-22
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0031995-48
10 등록결정서
Decision to grant
2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0428922-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i)도판트와 산화제 존재하에 고분자 나노구를 주형으로 하여 그 표면상에서 전도성 고분자의 단량체를 중합하여 전도성 고분자를 형성하는 단계 및; ii)유기용매를 이용하여 상기 고분자 나노구를 제거하는 단계를 포함한 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화제는 염화 제2철 (FeCl3), 과산화황산암모늄 ((NH4)2S2O8), 과산화수소 (H2O2) 및 중크롬산칼륨 (K2Cr2O7)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이고 몰(mole)비로 전도성 고분자 단량체와 1:1 내지 1:1
3 3
제1항에 있어서,상기 고분자 나노구는 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴산인 것을 특징으로 하는 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자의 단량체는 아닐린, 피롤, 싸이오펜 및 이들의 유도체로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 도판트는 양성자산인 것을 특징으로 하는 의사-커패시터용 전도성 고분자 중공 나노구 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.