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분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법

  • 기술번호 : KST2015202231
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법은 분광 광도계를 이용하여 특정 용액에 반응하는 최적 파장을 측정하는 단계와, 상기 분광 광도계를 이용하여 특정 농도를 갖는 상기 특정 용액의 상기 최적 파장에 대한 상대적인 흡광도를 측정하는 단계를 포함한다. 상기 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법은 PCB 제조 공정에 사용되는 용액의 농도를 측정하는 방법이다. 상기 특정 용액은 염화동, 도금액, 소프트 에칭액, 또는 에칭액이다. 상기 특정 용액이 염화동인 경우, 상기 최적 파장은 465㎚이다. 상기 특정 용액이 도금액인 경우, 상기 최적 파장은 395㎚이다. 상기 특정 용액이 소프트 에칭액인 경우, 상기 최적 파장은 800㎚이다. 상기 특정 용액이 에칭액인 경우, 상기 최적 파장은 500㎚ 내지 500㎚이다. 상기 특정 농도는 신액과 폐액의 비율에 따라 결정된 농도이다. 분광 광도계, 최적 파장, 농도 측정
Int. CL G01J 3/42 (2006.01) G01N 21/31 (2006.01)
CPC G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01)
출원번호/일자 1020080003258 (2008.01.11)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0073958 (2009.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070141210   |   2007.12.31
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강병훈 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한지희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** 한국지식재산센터 *층 (공익변리사 특허상담센터)(한국지식재산보호원)
2 권영규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *** (역삼동, 재승빌딩 *층)(프라임특허법률사무소)
3 윤재석 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **(서초동) *층(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0022918-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0066301-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0399393-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0658715-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0658717-30
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0008451-38
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.02.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0004689-42
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2010.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0124160-45
10 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2010.04.29 수리 (Accepted) 7-8-2010-0013284-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
분광 광도계를 이용하여 특정 용액에 반응하는 최적 파장을 측정하는 단계; 및 상기 분광 광도계를 이용하여 특정 농도를 갖는 상기 특정 용액의 상기 최적 파장에 대한 상대적인 흡광도를 측정하는 단계를 포함하는 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법은 PCB 제조 공정에 사용되는 용액의 농도를 측정하는 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 특정 용액은 염화동, 도금액, 소프트 에칭액, 또는 에칭 액인 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 특정 용액이 염화동인 경우, 상기 최적 파장은 465㎚인 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 특정 용액이 도금액인 경우, 상기 최적 파장은 395㎚인 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 특정 용액이 소프트 에칭액인 경우, 상기 최적 파장은 800㎚인 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 특정 용액이 에칭액인 경우, 상기 최적 파장은 500㎚ 내지 500㎚인 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 특정 농도는 신액과 폐액의 비율에 따라 결정된 농도인 분광 기술을 이용한 용액의 농도를 측정하는 방법
9 9
분광 광도계를 이용하여 혈액에 반응하는 최적 파장을 측정하는 단계; 및 상기 분광 광도계를 이용하여 특정 농도를 갖는 상기 혈액의 상기 최적 파장에 대한 상대적인 흡광도를 측정하는 단계를 포함하는 분광 기술을 이용한 혈액의 농도를 측정하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.