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유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015202258
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법에 관한 것으로서, 은 이온을 중심원자로 하는 은 착체 화합물이 유기용매에 용해되어 형성된 유기 은 착체 화합물을 마련하는 단계와; 상기 유기 은 착체 화합물을 박막형 고온초전도체의 고온초전도 박막층의 표면에 도포하는 단계와; 상기 고온초전도 박막층의 표면에 도포된 상기 유기 은 착체 화합물을 건조시키는 단계와; 상기 건조된 유기 은 착체 화합물을 소성하는 단계와; 상기 소성된 유기 은 착체 화합물을 산소 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 박막형 고온초전도체를 구성하는 은 보호층을 형성하는 과정을 별도의 진공장비 없이 대기압 상태에서 수행할 수 있고, 도포속도가 빠르고, 쉽게 양면 도포가 가능하게 된다.
Int. CL H01B 13/22 (2006.01) H01B 12/00 (2006.01) H01B 12/02 (2006.01)
CPC H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080126433 (2008.12.12)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1037230-0000 (2011.05.19)
공개번호/일자 10-2010-0067854 (2010.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희균 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 홍계원 대한민국 경기 성남시 분당구
3 이종범 대한민국 경기도 시흥시 정
4 문승현 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인남촌 대한민국 서울특별시 종로구 새문안로*길 **, 도렴빌딩 ***호 (도렴동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 서남 경기도 안성시 승량길 ** (
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0856439-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045081-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0395360-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0723744-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0723743-45
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0793747-02
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0098505-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
은 이온을 중심원자로 하는 은 착체 화합물이 유기용매에 용해되어 형성된 유기 은 착체 화합물을 마련하는 단계와; 상기 유기 은 착체 화합물을 박막형 고온초전도체의 고온초전도 박막층의 표면에 도포하는 단계와; 상기 고온초전도 박막층의 표면에 도포된 상기 유기 은 착체 화합물을 건조시키는 단계와; 상기 건조된 유기 은 착체 화합물을 소성하는 단계와; 상기 소성된 유기 은 착체 화합물을 산소 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 은 착체 화합물의 배위자는 카르복실기, 암모늄 카보네이트기 및 암모튬 카바메이트기 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기 은 착체 화합물은 은 5~50중량%, 상기 유기용매 30~95중량% 및 5중량% 이내의 첨가제를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 소성하는 단계는 120 ~ 800℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 소성하는 단계는 산소가 1% 이상 포함된 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 산소 열처리하는 단계는 120 ~ 800℃ 범위 내에서 산소 1% 이상 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 은 착체 화합물을 이용한 박막형 고온초전도체의 은 보호층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.