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기판을 준비하는 단계;
상기 기판 위에 하부전극을 형성하는 단계;
상기 하부전극 위에 PZT 하부막을 형성하는 단계;
상기 PZT 하부막 위에 PZT 상부막을 형성하는 단계; 및
상기 PZT 상부막 위에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 PZT 하부막은 제1 증착파워로 스퍼터링하여 형성하고, 상기 PZT 상부막은 상기 제1 증착파워 보다 높은 제2 증착파워에서 스퍼터링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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2
제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 하부전극 사이에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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3
제2항에 있어서,
상기 절연막과 상기 하부전극 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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4
제1항에 있어서,
상기 PZT 하부막의 두께는 10 내지 500nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 PZT 상부막의 두께는 500 내지 1000nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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6
제1항에 있어서,
상기 제2 증착파워는 상기 제1 증착파워의 2배 내지 20배로 하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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7
제1항에 있어서,
상기 제1 증착파워는 10W 내지 50W의 범위의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 제2 증착파워는 100W 내지 200W의 범위의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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9
제1항에 있어서,
상기 상부전극을 형성하는 단계 후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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10
제1항에 있어서,
상기 스퍼터링은 알에프 마그네트론 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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11
제1항에 있어서,
상기 PZT 하부막의 증착시간은 상기 PZT 상부막의 증착시간의 3배 내지 20배인 것을 특징으로 하는 PZT 박막 제조방법
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12
기판;
상기 기판 위에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극 위에 제1 증착파워로 스퍼터링하여 형성되는 PZT 하부막;
상기 PZT 하부막 위에 상기 제1 증착파워 보다 높은 제2 증착파워에서 스퍼터링하여 형성되는 PZT 상부막; 및
상기 PZT 상부막 위에 형성되는 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막
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13
제12항에 있어서,
상기 기판과 상기 하부전극 사이에 형성되는 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막
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14
제13항에 있어서,
상기 절연막과 상기 하부전극 사이에 형성되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막
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