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N형 화합물 반도체층과 P형 화합물 반도체 층 사이에 활성층과 전자 차단층(EBL)을 갖는 광소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서, 상기 활성층은 다중 양자 우물(MQW)층 구조를 포함하고,상기 MQW층을 형성하는 과정은, 배리어층을 형성하는 제1과정, 상기 배리어층 상부에 우물층을 형성하는 제2과정, 및 상기 우물층 상부의 배리어층을 형성하는 제3과정을 포함하여,배리어층 상부에 우물층과 배리어층을 순차로 복수회 반복한 구조를 형성하며, 상기 복수회 반복한 구조에서 중간의 우물층 하부의 배리어층은 N형 도펀트로 도핑하고, 상기 중간의 우물층 상부의 배리어층은 P형 도펀트로 도핑하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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N형 화합물 반도체층과 P형 화합물 반도체 층 사이에 활성층과 전자 차단층(EBL)을 갖는 광소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서, 상기 활성층은 다중 양자 우물(MQW)층 구조를 포함하고,상기 MQW층을 형성하는 과정은, 배리어층을 형성하는 제1과정, 상기 배리어층 상부에 우물층을 형성하는 제2과정, 및 상기 우물층 상부의 배리어층을 형성하는 제3과정을 포함하며,상기 우물층 하부의 배리어층 또는 상기 우물층 상부의 배리어층을 형성하기 전에 해당 배리어층의 하부의 확산 방지층(DBL)을 형성하는 제4과정 및 상기 우물층 하부의 배리어층 또는 상기 우물층 상부의 배리어층을 형성한 후에 해당 배리어층의 상부의 확산 방지층(DBL)을 형성하는 제5과정을 더 포함하여, 확산 방지층(DBL), 배리어층, 및 확산 방지층(DBL)을 각 우물층의 상하 마다 순차로 복수회 반복한 구조를 형성하며, 상기 복수회 반복한 구조에서 중간의 우물층 하부의 배리어층은 N형 도펀트로 도핑하고, 상기 중간의 우물층 상부의 배리어층은 P형 도펀트로 도핑하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 확산 방지층(DBL)은 상기 배리어층 또는 상기 우물층 보다 도펀트 농도가 적거나 조성비가 다른 AlxInyGa1-x-yN (0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1) 질화물 반도체층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 N형 도펀트는 Si, Ge, 또는 Sn 중 어느 하나이고, 상기 P형 도펀트는 Mg, Zn, Cd, Be, Ca 또는 Ba 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배리어층과 상기 우물층은 AlxInyGa1-x-yN (0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1) 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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