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N형 질화물 반도체층과 P형 질화물 반도체층 사이에 활성층을 갖는 반도체 광소자의 제조 방법으로서, 상기 N형 질화물 반도체층 위에 상기 활성층으로서 다중 양자 우물층을 형성하고,상기 다중 양자 우물층과 상기 P형 질화물 반도체층 사이에,상기 다중 양자 우물층을 구성하는 배리어층과 양자우물층 중 상기 양자우물층의 밴드갭보다 작거나 같은 밴드갭을 갖도록 질화물 반도체층으로 이루어진 전자 소모층을 형성하고,상기 전자 소모층은 전자-정공 재결합율을 증가시키기 위한 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조 방법
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N형 질화물 반도체층과 P형 질화물 반도체층 사이에 다중 양자 우물층으로 이루어진 활성층을 포함하고,상기 다중 양자 우물층과 상기 P형 질화물 반도체층 사이에, 상기 다중 양자 우물층을 구성하는 배리어층과 양자우물층 중 상기 양자우물층의 밴드갭보다 작거나 같은 밴드갭을 갖도록 질화물 반도체층으로 이루어진 전자 소모층을 포함하며,상기 전자 소모층은 전자-정공 재결합율을 증가시키기 위한 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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제2항에 있어서, 상기 다중 양자 우물층과 상기 전자 소모층 사이에 상기 P형 질화물 반도체층의 도펀트 농도 보다 작거나 같은 도펀트 농도로 이루어진 다른 P형 질화물 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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제3항에 있어서, 상기 다른 P형 질화물 반도체층과 상기 전자 소모층의 합한 두께는 상기 다중 양자 우물층에 포함된 배리어층의 두께 보다 크고 상기 P형 질화물 반도체층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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제2항에 있어서, 상기 전자 소모층은 InxGa1-xN (0003c#x003c#1) 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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제5항에 있어서, 상기 다중 양자 우물층은 InxGa1-xN (0003c#x003c#1) 양자 우물층과 GaN 배리어층을 복수회 반복한 층들을 포함하고,상기 전자 소모층의 In 성분비가 상기 양자 우물층의 In 성분비 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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제2항에 있어서, 상기 전자 소모층은 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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제2항에 있어서, 상기 반도체 광소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자
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