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기판 표면 질화층을 갖는 고품질 비극성 반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015202360
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극성 질화물 반도체층에서 발생하는 압전 효과(piezoelectric field) 현상이 없도록 하기 위하여 비극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 비극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 표면 질화층 및 고온의 완충층을 갖는 템플레이트(template) 층을 형성하여 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따라 비극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 광소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 템플레이트층을 형성하는 과정은, 상기 사파이어 기판의 표면을 질화 처리하여 질화층을 형성하는 과정, 상기 질화층 위에 질화물 반도체층을 형성하는 과정, 및 상기 질화물 반도체층 위에 GaN층을 형성하는 과정을 포함한다.반도체 광소자, 비극성, 사파이어 기판, 템플레이트 층, LED
Int. CL H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020090132916 (2009.12.29)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1143277-0000 (2012.04.30)
공개번호/일자 10-2011-0076256 (2011.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남옥현 대한민국 서울특별시 강남구
2 박현성 대한민국 경기도 부천시 오정구
3 이관현 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0812562-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0249017-12
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0525576-62
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0525577-18
5 보정요구서
Request for Amendment
2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0064478-43
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0550735-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0048892-55
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0163281-42
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0195736-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
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번호 청구항
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비극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 광소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서,상기 사파이어 기판의 상기 결정면은 A-면((11-20)면), 또는 R-면((1-102)면)을 포함하고,상기 템플레이트층을 형성하는 과정은, 200 내지 1000 ℃ 온도 범위에서 상기 사파이어 기판의 표면을 질화 처리하여 질화층인 AlxOyN1-x-y(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층을 형성하는 과정, 800 내지 1100 ℃ 온도 범위에서 상기 질화층 위에 질화물 반도체층인 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층을 형성하는 과정, 및 800 내지 1100 ℃ 온도 범위에서 상기 질화물 반도체층 위에 GaN층을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화층은 1내지 100 Å 두께로 형성되고, 상기 질화물 반도체층은 10 내지 20000 Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층을 갖는 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.