| 요약 |
본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 템플레이트(template) 층을 이중 버퍼층으로 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 템플레이트층을 형성하는 과정은, 제1 온도에서 제1 질화물 반도체 버퍼층을 형성하는 과정, 상기 제1 질화물 반도체 버퍼층 위에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도에서 제2 질화물 반도체 버퍼층을 형성하는 과정, 및 상기 제2 질화물 반도체 버퍼층 위에 GaN층을 형성하는 과정을 포함한다. 반도체 광소자, 비극성, 반극성, 사파이어 기판, 템플레이트 층, LED
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