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초전도 선재의 단일 완충층 형성방법 및 그 방법을 이용하여 제조된 초전도 선재

  • 기술번호 : KST2015202396
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, CeO2를 이용하여 초전도 선재의 완충층을 형성하는 방법에 있어서, 기판에 3 ~ 100㎚의 두께의 CeO2을 증착하여 핵생성층을 생성하는 단계; 및 상기 핵생성층의 상단에 10 ~ 500㎚의 두께의 CeO2을 증착하여 에피텍시얼층을 생성하는 단계를 포함하는 초전도 선재의 단일 완충층 형성방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 2단계 공정으로 CeO2 단일 완충층을 제조하였을 경우에 250 nm의 두께에서도 크랙이 발생하지 않았고 Ra 값이 7.2 nm로 우수한 표면 거칠기를 나타내며, XRD 측정결과, 우수한 c-축 배향성을 가지며 면내 2축 배향성이 약 5°로 우수한 결정성을 나타내어 단일 완충층으로서 우수한 특성이 있는 초전도 선재를 이용할 수 있다.
Int. CL H01B 12/06 (2006.01) C01G 1/02 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC C23C 14/06(2013.01) C23C 14/06(2013.01) C23C 14/06(2013.01) C23C 14/06(2013.01) C23C 14/06(2013.01) C23C 14/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100137654 (2010.12.29)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단, 우석대학교 산학협력단, 주식회사 그린리소스
등록번호/일자 10-1256370-0000 (2013.04.15)
공개번호/일자 10-2012-0075802 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로
2 우석대학교 산학협력단 대한민국 전라북도 완주군
3 주식회사 그린리소스 대한민국 인천광역시 서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍계원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이종범 대한민국 경기도 시흥시 정왕신길로***번
3 이희균 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 이지광 대한민국 전라북도 완주군
5 최경달 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인남촌 대한민국 서울특별시 종로구 새문안로*길 **, 도렴빌딩 ***호 (도렴동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
2 우석대학교 산학협력단 전라북도 완주군
3 주식회사 그린리소스 인천광역시 서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0871018-44
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0000805-03
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0017317-27
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088667-98
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0339976-39
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0625261-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0729131-22
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0729138-41
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0850354-13
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0735689-18
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1081230-57
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1081229-11
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0025777-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153184-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5069545-18
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5069557-55
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5044136-52
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5171340-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CeO2를 이용하여 초전도 선재의 완충층을 형성하는 방법에 있어서,기판에 3 ~ 100㎚의 두께의 CeO2을 증착하여 핵생성층을 생성하는 단계; 및 상기 핵생성층의 상단에 10 ~ 500㎚의 두께의 CeO2을 증착하여 에피텍시얼층을 생성하는 단계를 포함하며, 상기 핵생성층의 증착 속도는 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 증착은 스퍼터링(sputtering), 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition) 또는 전자빔 증착법(electron beam everpotaion)에 의하여 행하는 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충층 형성방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 기판은 니켈 또는 니켈 합금인 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충충 형성방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 니켈 합금은 코발트(Co), 크롬(Cr), 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 붕소(B)가 함유되는 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충충 형성방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 기판은 Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate(RABiTS) 공정에 의해 제작된 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충층 형성방법
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 핵생성층의 증착 온도는 500 ~ 900℃의 범위인 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충층 형성방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 에피텍시얼층의 증착 속도는 6 ~ 10000Å/sec의 범위인 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충층 형성방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 에피텍시얼층의 증착 온도는 400 ~ 700℃의 범위인 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 단일 완충층 형성방법
10 10
삭제
11 11
기판과, 기판상에 증착되는 초전도층과, 상기 기판과 상기 초전도층 사이에 형성되는 완충층을 구비한 초전도 선재에 있어서, 상기 완충층은 CeO2의 단일완충층으로 형성되되, 기판에 3 ~ 100㎚의 두께의 CeO2을 증착하여 생성되는 핵생성층과, 상기 핵생성층의 상단에 10 ~ 500㎚의 두께의 CeO2을 증착하여 생성되는 에피텍시얼층으로 이루어지며, 상기 핵생성층의 증착 속도는 0
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 에피텍시얼층의 증착 속도는 6 ~ 10000Å/sec의 범위이고, 상기 에피텍시얼층의 증착 온도는 400 ~ 700℃의 범위인 것을 특징으로 하는 초전도 선재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.